【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着器件特征尺寸的持续缩小，Si沟道器件的载流子迁移率随着电场强度的增加而持续缩小。这造成了器件驱动电流无法按照等比例缩小的规则向前推进。目前科学界和产业界一方面使用不同的应力工程，栅材质(例如HKMG)以及器件结构(例如FinFET)来优化硅器件的载流子迁移率，另一方面，以GeSi，Ge，GaAs等非硅沟道器件的研究也逐渐得到了越来越多的重视。 但Ge沟道器件在改善空穴迁移率的同时，也会引入一些问题。许多文献中都报道指出，这些问题的引入来自于Ge沟道在外延过程的界面态。目前这些问题的解决更多使用增加Ge沟道钝化层(passivation layer)以及PMA (post metal anneal,后金属退火)来解决，但他们依赖于高介电常数(HKMG)材料的选取，目前主流使用的钝化层材料为GeO2和Ge3N4 ο目前业界主流使用的Hf基高介电常数材料与Ge沟道进行集成，使用SiON材料作为Ge沟道的钝化层。在实验过程中存在以下问题CV曲线的回滞现象，以及由于GeON材料热稳定性较差，在较高的退火温度下会被破坏(一般> 450°C )。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的不足之处，提出了，解决由于器件特征尺寸的持续缩小，Si沟道器件的载流子迁移率随着电场强度的增加而持续缩小，而造成了器件驱动电流无法按照等比例缩小的规则向前推进的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供一种改善Ge沟道器件CV回滞性和衬底界面状的集成方法，在Ge沟道器件集成过程中还包括后金属退火处理，所述后金属退火处理在完成高介...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善Ge沟道器件CV回滞性和衬底界面态的集成方法，其特征在于，在Ge沟道器件集成过程中还包括后金属退火处理，所述后金属退火处理在完成高介电常数材料层淀积后进行。2.根据权利要求I所述的集成方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹永峰，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。