根据一个实施例，显示装置包括绝缘层、显示单元和有机EL层。显示单元被设置在绝缘层的主表面上并且包含多条栅极线、多条信号线、多条电源线以及排列成矩阵结构的多个像素单元。有机EL层被设置在显示单元上。每个像素单元包含驱动晶体管和电阻器。驱动晶体管包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。驱动源电极或驱动漏电极被连接到多条电源线中的一条信号线。电阻器的一端被连接到驱动栅电极。电阻器的另一端被连接到栅极线、信号线和电源线中的一个。
【技术实现步骤摘要】
在此描述的实施例通常涉及显示装置。
技术介绍
近来，作为自发光元件的有机电致发光(EL)显示装置作为平板显示装置引起注意，并且被积极地研究。因为有机EL显示装置使用自发光元件，所以与其中通过包含像素电路的液晶单元来控制来自背光的透射光的強度的液晶显示器相比，有机EL显示装置具 有诸如不需要背光、具有宽的图像的视角以及具有高速响应以适于视频重放的特征。类似于液晶显示装置，有机EL显示装置可以使用单纯的(无源的)矩阵系统以及有源矩阵系统作为装置的驱动系统。在有源矩阵系统中，流过有机EL元件的电流被诸如是薄膜晶体管的有源元件控制，该有源元件被设置在与有机EL元件的像素电路相同的像素电路中。有源矩阵显示装置可以执行大型的以及高清晰度的显示。在有源矩阵有机EL显示装置中，每ー个像素包含串联连接到有机EL元件的驱动晶体管以及将按照图像信号的信号电压写在驱动晶体管的栅极上的写入晶体管。该驱动晶体管作为对应于图像信号的恒流电源进行操作。因此，为了确保显示的均匀性，需要将像素之间的驱动晶体管的特性变化抑制到非常小的程度。
技术实现思路
通常，根据ー个实施例，显示装置包括绝缘层、显示单元和有机EL层。显示単元被设置在绝缘层的主表面上并且包含多条栅极线、多条信号线、多条电源线以及排列成矩阵结构的多个像素単元。有机EL层被设置在显示单元上。每个像素単元包含驱动晶体管和电阻器。驱动晶体管包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。驱动源电极或驱动漏电极被连接到多条电源线中的一条电源线。电阻器的一端被连接到驱动栅电极，电阻器的另一端被连接到栅极线、信号线和电源线中的ー个。附图说明图I显示根据第一实施例的显示装置的平面图图2是显示根据第一实施例的显示装置的显示区域的局部截面的视图；图3显示根据第一实施例的显示装置的像素结构；图4是显示根据第二实施例的有源矩阵显示装置的像素结构的视图；图5是显示根据第三实施例的有源矩阵显示装置的像素结构的视图；图6是显示氧化物半导体的TFT特性的图7是显示分离基板的处理的图；和图8是显示分离处理前后的TFT的特性的图。具体实施例方式以下将參考所附的附图描述各个实施例。 附图是示意的以及概念上的；并且部分的厚度或宽度之间的关系、部分间的大小的比例等等并非必须与它们的实际值相同。此外，即使对于同样的部分，尺寸和比例可以在附图中被不同地图解。在这个申请的说明书和附图中，与关于上述的附图中描述的部件类似的部件以相同的參考数字标记，并且详细说明被适当地省略。有源矩阵有机EL显示装置被用作显示装置。第一实施例描述根据第一实施例的显示装置。图I显示显示装置501的平面图。根据实施例的显示装置501包含其中显示图像的显示区域100 (显示单元)和周围区域200 (周围单元)，该周围区域200是除了显示区域之外的区域。显示区域100包含像素単元I。周围区域200包含信号线驱动电路2、控制线驱动电路3和控制器4。控制器4被连接到信号线驱动电路2和控制线驱动电路3，并且执行信号线驱动电路2和控制线驱动电路3的操作的定时控制。信号线驱动电路2通过沿着图I中的列方向设置的多条信号线Vsig被连接到像素単元I。控制线驱动电路3通过沿着图I中的行方向设置的多条控制线CL被连接到像素単元I。信号线驱动电路2将对应于图像信号的信号电压经由信号线Vsig提供到像素単元I。控制线驱动电路3将扫描线驱动信号经由控制线CL提供到像素単元I。像素単元I包含基于提供的电流发射光的有机EL元件等等。图2是显示根据第一实施例的显示装置501的显示区域的局部截面的视图；阵列(array)阻挡膜111被设置在显示装置501的基板110上。薄膜晶体管(TFT) 10被设置在阵列阻挡膜111的一部分上。更具体地说，栅电极112被设置在阵列阻挡膜111的一部分上。设置栅极绝缘膜113以便覆盖栅电极112。半导体层114被设置在栅极绝缘膜113的一部分上，以便与栅电极112的位置重叠。除源极接触区域和漏极接触区域以外，通道保护膜115被设置在半导体层114上。源电极116S被设置在半导体层114的源极接触区域上，并且漏电极116D被设置在半导体层114的漏极接触区域上。TFT保护膜117被设置在源电极116S、漏电极116D和栅极绝缘膜113上。像素电极118被设置在TFT保护膜117的一部分上。像素电极118经由设置在TFT保护膜117中的斜坡(bank)连接到漏电极116D。有机EL层120被设置在像素电极118上。通用电极121被设置在有机EL层120上。在薄膜晶体管10上方的区域中，有机EL层120和通用电极121经由钝化膜119被设置在TFT保护膜117上方。密封膜122被设置在通用电极121上。例如，诸如玻璃基板和塑料基板的绝缘的基板可以被用作基板110。作为塑料基板，例如，可以使用PET (聚对苯ニ甲酸こニ醇酷)、PEN(聚萘ニ甲酸こニ醇酷)、PES (聚醚砜)、PI (聚酰亚胺)等等。作为阵列阻挡膜111，使用单层的氧化硅(SiOx，X是任意的正的值)和氮化硅(SiNx，X是任意的正的值)或它们的层叠层。诸如例如是MoW、Ta和W的高熔点金属的导电材料可以被用于栅电极112。此外，包含作为主要成分的抑制小丘(hillock)的Al的Al合金可以被用于栅电极112。同样，Al和高熔点金属的层叠层可以被用于栅电极 112。例如，诸如氧化硅(SiOx)的绝缘材料可以被用于栅极绝缘膜113。除氧化硅之外，可能使用氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等等，而且还可以使用它们的膜的层叠膜。例如，由反应溅射方法形成的In-In-Ga-Zn-O系的非晶氧化物半导体可以被用于半导体层114。具有别的成分的氧化物半导体、多晶硅、微晶硅、非晶硅、有机半导体等等也可能被用作半导体层114。在非晶氧化物半导体被用作半导体层114的情况下，厚度可以被设定为近似于不少于IOnm以及不多于lOOnm，并且考虑到电特性，更佳的是近似10nm。绝缘材料被用于通道保护层115。在非晶氧化物半导体被用于半导体层114的情 况下，具有比半导体层114强的耐酸性的氧化硅(SiOx)可以被用于通道保护层115。此外，氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等等可以被用作通道保护层115。例如，诸如Ti/Al/Ti层叠膜和Mo/Al/Mo层叠膜的各种导电材料可以被用于源电极116S和漏电极116D。例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等等可以被用于TFT保护膜117。例如，铟氧化锡(ITO)、IT0/Ag/IT0的层叠结构、作为掺入Al的ZnO的AZO中的至少ー个可以被用于像素电极118。例如，感光性丙烯酸树脂、感光性聚酰亚胺等等可以被用于钝化膜119。通过电压施加来发射光的材料可以被用于有机EL层120。有机EL层120被电连接到像素电极118。例如，诸如Al和MgAg的材料可以被用于通用电极121。例如，诸如氮化硅(SiOx)的绝缘材料可以被用于密封膜122。如上所述的薄膜晶体管10的结构的实例可以被应用于如下所述的写入晶体管的结构和驱动晶体管的结构。然而，晶体管的栅电极、源电极和漏电极间的连接关系依照每个晶体管来确定。根据本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.24 JP 2011-0652721.一种显示装置，其特征在于，包括 绝缘层； 显示单元，设置在所述绝缘层的主表面上并且包含 多条栅极线； 多条信号线； 多条电源线；以及 排列成矩阵结构的多个像素单元；和 设置在所述显示単元上的有机EL层， 每个像素単元包含 包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极的驱动晶体管；和 电阻器， 所述驱动源电极或所述驱动漏电极被连接到所述多条电源线中的一条电源线，和所述电阻器的一端被连接到所述驱动栅电极，所述电阻器的另一端被连接到所述栅极线、所述信号线和所述电源线中的ー个。2.如权利要求I所述的装置，其特征在干， 每个所述像素単元进ー步包含写入晶体管，所述写入晶体管包含写入栅电极、写入源电极和写入漏电极， 所述写入栅电极被连接到所述栅极线， 所述写入源电极被连接到所述信号线，和 所述写入漏电极被连接到所述驱动栅电扱。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电阻器的电阻比处于断开状态中的所述写入晶体管的电阻低，并且是处于接通状态中的所述写入晶体管的电阻的100倍以上。4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电阻器的电阻不少于100兆欧姆并且低于I垓欧姆。5.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述电阻器包含与用于半导体层的材料相同的材料，所述半导体层被包含在所述驱动晶体管中。6.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述电阻器包含氧化物半导体。7.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电阻器是包含正极和负极的ニ极管。8.如权利要求7所述的装置，其特征在干， 所述正极被连接到所述驱动栅电扱，并且 所述负极被连接到所述电源线。9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述ニ极管的反...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤信美，上田知正，山口一，三浦健太郎，中野慎太郎，坂野龙则，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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