本发明专利技术涉及显示装置及其制造方法、和具有该显示装置的电子设备。本发明专利技术公开了显示装置，其包括：半导体层、栅极、源/漏极层和有机电场发光元件。半导体层设置在衬底上并且由氧化物半导体制成。栅极设置在半导体层的选择性第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间。源/漏极层适于用作源极或漏极，并且源/漏极层电连接到半导体层的第二区域，第二区域在半导体层的第一区域附近。此外，有机电场发光元件设置在半导体层的第三区域上方，第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域，有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有由氧化物半导体制成的薄膜晶体管的显示装置、该显示装置的制造方法、和具有该显示装置的电子设备。
技术介绍
近年来，用于驱动平板显示器(例如，液晶和有机EL(电致发光)显示装置)的TFT(薄膜晶体管)已经进入商业化。通常通过在衬底上使用半导体材料(例如，非晶硅或多晶硅)来制造这些TFT。但是，使用非晶硅在易于转变成大平板 尺寸的同时导致低的电子场效应迁移率。另ー方面，使用多晶硅在提供高的电子场效应迁移率的同时很难转变成更大的平板尺寸。相反，已知由锌、铟、镓和锡及它们的混合物制成的氧化物(氧化物半导体)可以在低温下形成薄膜并提供优异的半导体特性。更具体地，氧化物半导体TFT具有比非晶硅TFT高十倍或更高的电子迁移率，并且还提供优异的关断特性。因此，近年来，进行了各种研究和开发，以将这样的氧化物半导体应用于有源矩阵显示装置(例如，日本专利早期公开No. 2004-192876和日本专利早期公开No. 2009-271527)。日本专利早期公开No. 2004-192876提出了通过对用作有机EL显示装置的电极的所谓顶栅TFT的源极进行图案化来简化制造方法的方法。另ー方面，日本专利早期公开No. 2009-271527提出了使用氧化物半导体作为有机EL显示装置的电极的结构。
技术实现思路
此外，为了制造驱动衬底，在有机EL显示装置的制造步骤中，首先在衬底上形成TFT和电容，然后涂覆平坦化膜，之后在平坦化膜上形成像素，每个像素包括有机EL元件。这时，需要通过使用所谓的光掩模进行光刻来对每个层进行图案化。因此，对于每层的图案化需要不同的光掩模。此外，消耗更多的光阻剂和其他材料。形成的层经过涂覆、曝光、显影、后烘烤和其他步骤，因此产生更多的膜形成步骤和更高的成本。因此，期望提供数量更少的步骤来实现更低的制造成本和提高的产量。如果与日本专利早期公开No. 2004-192876中所述的方法一祥、在顶栅结构中将TFT的源极用作有机EL显示装置的电极，则与分开形成有机EL显示装置的电极的情况相比，可以减少步骤的数量。但是，即使在这种情况下，需要至少五个光掩模(需要五个光刻步骤)。因此，期望实现进一步减少步骤的数量和更低的成本。有鉴于上述问题而实现本专利技术，期望提供可以通过低成本的简单过程制造的显示装置、该显示装置的制造方法、和具有该显示装置的电子设备。根据本专利技术的实施例的显示装置包括半导体层，其设置在衬底上并且由氧化物半导体制成；栅极，其设置在半导体层的选择性第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间；源/漏极层，其适于用作源极或漏极，并且源/漏极层电连接到半导体层的第二区域，第二区域在半导体层的第一区域附近；和有机电场发光元件，其设置在半导体层的第三区域上方，第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域，有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。根据本专利技术的实施例的显示装置的制造方法包括在衬底上形成由氧化物半导体制成的半导体层；在半导体层的选择第一区域上方形成栅极，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间；以将源/漏极层电连接到半导体层的第二区域的方式形成源/漏极层，源/漏极层适于用作源极或漏极，第二区域在半导体层的第一区域附近；并且在半导体层的第三区域上方形成有机电场发光元件，第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域，有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。在根据本专利技术的实施例的显示装置和该显示装置的制造方法中，栅极设置在由氧化物半导体制成的半导体层的选择第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间。源/漏极层在半导体层的第二区域中电连接到半导体层，该第二区域在半导体层的第一区域附近。有机电场发光元件形成于半导体层的第三区域上方，该第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域。有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。即，通过使用适于形成晶体管通道的半导体层作为有机电场发光元件的电极，可以在制 造步骤中減少基于光刻的图案化步骤的数量。这有助于减小光掩模、光阻剂和其他所需材料的消耗。根据本专利技术的另ー实施例的电子设备具有上述显示装置，该显示装置包括半导体层，其设置在衬底上并且由氧化物半导体制成；栅极，其设置在半导体层的选择性第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间；源/漏极层，其适于用作源极或漏极，并且源/漏极层电连接到半导体层的第二区域，第二区域在半导体层的第一区域附近；和有机电场发光元件，其设置在半导体层的第三区域上方，第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域，有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。在根据本专利技术的实施例的显示装置和该显示装置的制造方法中，栅极设置在由氧化物半导体制成的半导体层的选择第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间。源/漏极层在半导体层的第二区域中电连接到半导体层，该第二区域在半导体层的第一区域附近。有机电场发光元件形成于半导体层的第三区域上方，该第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域。有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。这样，減少了基于光刻的图案化步骤的数量，因此有助于减小光掩模、光阻剂和其他所需材料的消耗，并从而能够实现通过低成本的简单过程来制造显示装置。附图说明图I是示出根据本专利技术的实施例的显示装置的示意性构造的截面图；图2A至2N是用于描述图I所述的显示装置的制造方法的截面图；图3是示出根据对比示例的显示装置的示意性构造的截面图；图4A至4F是用于描述根据对比示例的显示装置的制造方法的截面图；图5是示出包括根据实施例的显示装置的外围电路的整体构造的示图；图6是示出图5所示的像素的电路构造的示图；图7是示出包括图5所示的显示装置的模块的示意性构造的俯视图；图8是示出应用示例I的外观的透视图9A是示出从前面观察的应用示例2的外观的透视图，图9B是示出从后面观察的应用示例2的外观的透视图。图10是示出应用示例3的外观的透视图；图11是示出应用示例4的外观的透视图；和图12A是处于打开位置的应用示例5的正视图，图12B是处于打开位置的应用示例5的侧视图，图12C是处于关闭位置的应用示例5的正视图，图12D是处于关闭位置的应用不例5的侧视图，图12E是处于关闭位置的应用不例5的右视图，图12F是处于关闭位置的应用示例5的俯视图，图12G是处于关闭位置的应用示例5的仰视图。具体实施方式 下面将參考附图对本专利技术的优选实施例进行详细描述。应当注意，将以下列顺序进行描述。I.实施例(使用具有顶栅结构的TFT的半导体层作为显示像素电极的有机EL显示装置的示例)2.应用示例(模块和电子设备的示例)<实施例>[显示装置I的构造]图I示出根据本专利技术的实施例的显示装置(显示装置I)的示意性构造。显示装置I例如是有源矩阵有机EL显示器，并且具有以矩阵形式布置的多个像素。但是，应当注意，图I只示出一个像素(例如，红色、緑色和蓝色子像素中的ー个)的区域。显示装置I在驱动衬底IlA上包括功能层18、共用电极19和保护层20。功能层18包括有机EL层。使用未示出的粘结层将密封衬底21连接到保护层20。显示装置I可以是所谓的顶部发光或底部发光显示装置。在驱动衬底IlA中，晶体管部本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.24 JP 2011-0662821.一种显示装置，其包括 半导体层，其设置在衬底上并且由氧化物半导体制成； 栅极，其设置在所述半导体层的选择性第一区域上方，栅极绝缘膜夹在所述栅极和所述半导体层之间； 源/漏极层，其适于用作源极或漏扱，并且所述源/漏极层电连接到所述半导体层的第ニ区域，所述第二区域在所述半导体层的所述第一区域附近；和 有机电场发光元件，其设置在所述半导体层的第三区域上方，所述第三区域不同于所述半导体层的所述第一区域和所述第二区域，所述有机电场发光元件具有用于所述第三区域的被驱动作为像素电极的区域。2.根据权利要求I所述的显示装置，其中， 所述第二区域和所述第三区域的电阻率低于所述第一区域。3.根据权利要求2所述的显示装置，包括 中间层绝缘膜，其适于覆盖所述栅极绝缘膜和所述栅极，所述中间层绝缘膜具有用于所述第二区域的第一开口和用于所述第三区域的第二开ロ，其中， 所述源/漏极层设置在用于所述中间层绝缘膜的所述第一开ロ的区域中，所述有机电场发光元件设置在用于所述中间层绝缘膜的所述第二开ロ的区域中。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中， 所述中间层绝缘膜由光敏树脂制成。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中， 所述源/漏极层以填充所述第一开ロ的方式设置在所述中间层绝缘膜上，所述显示装置还包括 保护膜，其适于在所述中间层绝缘膜上覆盖所述源/漏极层。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中， 所述保护膜由光敏树脂制成。7.一种显示装置的制造方法，其包括如下步骤 在衬底上形成由氧化物半导体制成的半导体层； 在所述半导体层的选择性第一区域上方形成栅极，栅极绝缘膜夹在所述栅极和所述半导体层之间； 以将源/漏极层电连接到所述半导体层的第二区域的方式，形成所述源/漏极层，所述源/漏极层适于用作源极或漏极，所述第二区域在所述半导体层的所述第一区域附近；并且 在所述半导体层的第三区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：师冈光雄，广升泰信，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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