有机发光显示装置制造方法及图纸

技术编号:7809888 阅读:216 留言:0更新日期:2012-09-27 14:52
一种有机发光显示装置,包括:彼此面对的第一衬底和第二衬底;有机发光装置,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述有机发光装置包括在每个像素中单独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层;以及电极单元和至少一个接线单元,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述电极单元包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个电容器,所述至少一个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极,其中,在所述电极单元和所述接线单元中的至少一个的表面上形成光学性质修改层,所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的光学性质修改的光学性质。

【技术实现步骤摘要】

本文公开内容涉及有机发光显示装置,更具体地,涉及可以将外部光线反射导致的对比度的下降最小化的有机发光显示装置。
技术介绍
有机发光显示装置作为自发光显示装置在宽视角和快速响应时间上具有优势。然而,有机发光显示装置的缺点是,如果有机发光显示装置在外部光线环境下显示图像,则夕卜 部光线被构成有机发光显示装置中的电极和接线的金属材料反射,从而降低对比度。一般来说,为了使对比度的下降最小化,会使用价格偏高的偏振板。然而,使用这种偏振板会使成本増加,并会由于从发光层发射出的光被阻挡而降低透射率,并降低亮度。为了使对比度的下降最小化,可以在电极或接线上形成黑矩阵。然而,使用这种黑矩阵的方法会需要额外的掩模过程来形成黑矩阵,这使得制作过程变得复杂。
技术实现思路
本专利技术的ー个方面提供了一种有机发光显示装置,其可通过改变电极单元和接线单元表面的光学性质来改善对比度。根据本专利技术的ー个方面,提供了一种有机发光显示装置,包括彼此面对的第一衬底和第二衬底;有机发光装置,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述有机发光装置包括在每个像素中単独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层;以及电极单元和至少ー个接线单元,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述电极単元包括至少ー个薄膜晶体管以及至少ー个电容器,所述至少ー个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极,其中,在所述电极单元和所述接线単元中的至少ー个的表面上形成光学性质修改层,所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线単元中的所述至少ー个的光学性质修改的光学性质。所述光学性质修改层的反射率可低于所述电极单元和所述至少一个接线単元中的每个的反射率。所述光学性质修改层的光吸收率可高于所述电极单元和所述至少一个接线単元中的每个的光吸收率。所述光学性质修改层可通过选自由透射率、折射率、衍射率以及颜色构成的组中的至少ー种光学性质区别于所述电极单元和所述接线単元中的所述至少ー个。所述光学性质修改层可以是通过向所述电极単元和所述接线単元中的所述至少ー个的表面施加飞秒级激光束脉冲至少一次而形成的。所述光学性质修改层由飞秒级激光束脉冲修改的区域可具有纳米级或微米级尺寸。所述至少ー个薄膜晶体管包括栅电极、源电级和漏电极,所述至少ー个电容器包括电极。所述至少一个接线単元可包括栅接线単元、数据接线単元和功率接线单元。从所述有机发光层发出的光可朝向所述第二衬底发射,其中,所述光学性质修改层形成在所述电极単元和所述接线単元中的所述至少ー个的、面对所述第二衬底的表面上,其中,所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层,所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述像素电极靠近所述有机发光层的表面上。所述第二光学性质修改层的反射率可低于所述像素电极的反射率。所述第二光学性质修改层的光吸收率可高于所述像素电极的光吸收率。 从所述有机发光层发出的光可朝向所述第一衬底发射,其中,所述光学性质修改层形成在所述电极単元和所述接线単元中的所述至少ー个的、面对所述第一衬底的表面上,其中,所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层,所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述公共电极靠近所述有机发光 层的表面上。所述第二光学性质修改层的反射率可低于所述公共电极的反射率。所述第二光学性质修改层的光吸收率可高于所述公共电极的光吸收率。所述第二光学性质修改层可仅形成在与所述像素电极相对应的区域上。所述第一衬底和所述第二衬底中的至少ー个可以是透明衬底,其中,所述有机发光显示装置还包括至少ー个透明干涉层,所述至少ー个透明干涉层设置在所述透明衬底的、夕卜部光线入射的表面上。所述透明干涉层的厚度可约等于外部光线的波长的1/4。所述透明干涉层的折射率可低于所述透明衬底的折射率。所述透明干涉层可包括氟化镁、ニ氧化硅、具有高折射率的透明材料、或其组合。所述至少ー个透明干涉层还包括多个透明干涉层,所述多个透明干涉层设置在所述透明衬底的、外部光线入射的表面上,其中所述至少ー个透明干涉层包括第一透明干渉层和第二透明干涉层,所述第二透明干涉层比所述第一透明干渉层更靠近所述透明衬底,并且所述第二透明干涉层的折射率高于所述第一透明干涉层的折射率。每个透明干涉层的厚度均可约等于外部光线的波长的1/4。附图说明通过參照附图对特定的实施方式进行详细描述,本专利技术的上述和其它特点及优点将变得更显而易见,在附图中图I为示出了有机发光显示装置的像素结构的平面图。图2为沿图I中的线II-II所取的剖视图。图3示出了图I中的有机发光显示装置的等效电路。图4为根据本专利技术ー个实施方式的有机发光显示装置的平面图。图5为沿图4中的线V-V所取的剖视图。图6为示出当飞秒级激光束脉冲作用在铝上时反射率与波长之间的关系的示意图。图7是根据本专利技术另ー实施方式的有机发光显示装置的平面图。图8是沿图7中的线VIII-VIII所取的剖视图。图9是根据本专利技术另ー实施方式的有机发光显示装置的剖视图。图10为示出了透明干涉层的剖视图。图11为示出了多个透明干涉层的剖视图。 图12为根据本专利技术另ー实施方式的有机发光显示装置的剖视图。具体实施例方式现在将參照附图更全面地描述本专利技术的实施方式,附图中示出了本专利技术的实施方式。图I为有机发光显示装置I的实施例的平面图。图2为沿图I中的II-II线所取的剖视图。图3是图I中的有机发光显示装置I的等效电路。如图I至图3所示,有机发光显示装置I包括位于第一衬底110上的栅接线単元26、数据接线単元27以及功率接线单元25,有机发光显示装置I还包括第一薄膜晶体管21、第二薄膜晶体管23和电容器22。第二薄膜晶体管23连接至有机发光装置24,有机发光装置24包括像素电极241、公共电极243以及设置在像素电极241与公共电极243之间的有机发光层242。为了使第一衬底110平坦化并防止杂质元素滲透至第一衬底110中,可在第一衬底110上设置由SiO2和/或SiNx形成的缓冲层111。第一薄膜晶体管21的第一活性层211和第二薄膜晶体管23的第二活性层231形成在缓冲层111上,栅绝缘膜112形成在第一活性层211和第二活性层231上。第一薄膜晶体管21的第一栅电极212和第二薄膜晶体管23的第二栅电极232形成在栅绝缘膜112上。第一栅电极212连接至栅接线単元26,第二栅电极232连接至电容器22的第一电极221。层间绝缘膜113形成在第一栅电极212、第二栅电极232和电容器22的第一电极221上。第一源电极213和第一漏电极214分别通过接触孔连接至第一活性层211的源区域(未示出)和漏区域(未示出)。第二源电极233和第二漏电极234分别连接至第二活性层221的源区域(未示出)和漏区域(未示出)。第一源电极213连接至数据接线単元27,以向第一活性层211施加数据信号,第一漏电极214连接至电容器22的第一电极221,以将数据信号存储在电容器22中。第二源电极233连接至电容器22的第二电极222,第二漏电极234连接至有机发光装置24的像素电极241。钝化层114形成在第一源电极213、第二源电极233、第一漏电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.21 KR 10-2011-00249931.一种有机发光显示装置,包括 彼此面对的第一衬底和第二衬底; 有机发光装置,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述有机发光装置包括在每个像素中単独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层;以及 电极单元和至少ー个接线单元,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述电极単元包括至少ー个薄膜晶体管以及至少ー个电容器,所述至少ー个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极, 其中,在所述电极単元和所述接线単元中的至少ー个的表面上形成光学性质修改层,所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线単元中的所述至少ー个的光学性质修改的光学性质。2.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,所述光学性质修改层的反射率低于所述电极単元和所述至少一个接线単元中的每个的反射率。3.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,所述光学性质修改层的光吸收率高于所述电极单元和所述至少一个接线単元中的每个的光吸收率。4.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,所述光学性质修改层通过选自由透射率、折射率、衍射率以及颜色构成的组中的至少ー种光学性质区别于所述电极单元和所述接线单元中的所述至少ー个。5.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,所述光学性质修改层是通过向所述电极单元和所述接线単元中的所述至少ー个的表面施加飞秒级激光束脉冲至少一次而形成。6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述光学性质修改层由飞秒级激光束脉冲修改的区域具有纳米级或微米级尺寸。7.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,所述至少ー个薄膜晶体管包括栅电极、源电级和漏电极,所述至少ー个电容器包括电极。8.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,所述至少一个接线単元包括栅接线单元、数据接线单元和功率接线单元。9.如权利要求I所述的有机发光显示装置,其中,从所述有机发光层发出的光朝向所述第二衬底发射, 其中,所述光学性质修改层形成在所述电极単元和所述接线単元中的所述至少ー个的、面对所述第二衬底的表面上, 其中,所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层,...

【专利技术属性】
技术研发人员:莱恩·卡普兰瓦勒瑞·普鲁申斯基郑世呼玄元植郑炳成马壮锡
申请(专利权)人:三星移动显示器株式会社
类型:发明
国别省市:

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