有机发光显示装置和制备该有机发光显示装置的方法制造方法及图纸

本公开涉及有机发光显示装置和制造所述有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括有机发光装置；电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管(TFT)；和电连接至所述有机发光装置的电容器，所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层，以及作为单层插入在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

各示例性实施方式涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及包括电容量增加的电容器的有机发光显示装置，以及制备该有机发光显示装置的方法。
技术介绍
在目前引起许多关注的有机发光显示装置中，每个像素包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接至该TFT和电容器的有机发光装置。有机发光装置通过接收来自该TFT和电 容器的适当的驱动信号而发光，并显示期望的图像。为了更稳定地显示有机发光显示装置的图像，电容器需要具有足够的电容量。也就是说，当电容器具有足够的电容量时，能更自然地显示图像。然而，如果仅增加电容器的尺寸来增加其电容量，有机发光装置的发光面积就可能会相对减少，这反过来可能会降低有机发光装置的亮度。
技术实现思路
不例性实施方式提供一种电容量增加的电容器和包括该电容器的有机发光显不>J-U ρ α装直。根据7]^例性实施方式的一个方面，提供一种有机发光显装置，包括有机发光装置，电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管(TFT)，以及电连接至所述有机发光装置的电容器，所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层，以及作为单层插入在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一绝缘层。所述第一电极层可包括在基底上的透明电极层，和在所述透明电极层上低电阻电极层。所述TFT可包括含有与所述电容器的所述第一电极层的相同厚度的同一材料的栅极，所述栅极和所述第一电极层直接设置在同一元件上；在所述栅极上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上的有源层；在所述有源层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层为与所述第一绝缘层的相连的层；和在所述第三绝缘层上并连接至所述有源层的源极和漏极，所述源极和所述漏极包括与所述电容器的所述第二电极层相同的厚度的同一材料。所述栅极可包括在所述基底上的透明电极层，和在所述透明电极层上的低电阻电极层。所述有机发光装置可包括连接至所述TFT的像素电极，与所述像素电极相对的对电极，和插入在所述像素电极和所述对电极之间的有机发光层。所述像素电极可包括在所述基底上并连接至所述有机发光层的透明电极层，和在所述透明电极层上并连接至所述TFT的低电阻电极层。根据本示例性实施方式的另一个方面，提供一种制备有机发光显示装置的方法，该方法包括形成有机发光装置，形成电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管(TFT)，和形成电连接至所述有机发光装置的电容器，所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层，以及作为单层插入在所述第一电极层和第二电极层之间的第一绝缘层。所述方法可进一步包括在所述基底上的同一层形成所述有机发光装置的像素电极、所述TFT的栅极和所述电容器的所述第一电极层，在所述TFT的所述栅极上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成有源层，在所述电容器的所述第一电极层上形成第一绝缘层和在同一层的所述有源层上形成第三绝缘层，以及在所述第一绝缘层上形成第二电极层和在同一层的所述第三绝缘层上形成源极和漏极。所述第一电极层、所述栅极和所述像素电极中每一个可包括形成在所述基底上的透明电极层和形成在所述透明电极层上的低电阻电极层。 所述方法可进一步包括在所述像素电极上形成有机发光层，和在所述有机发光层上形成对电极。所述有机发光层可形成在暴露的像素电极上，通过蚀刻形成在所述像素电极上的像素界定层使所述像素电极暴露部分。附图说明本实例实施方式上述和其它特征和优点将通过参考附图详细地说明其示例性实施方式而变得更加清楚，其中图I为根据本实例实施方式的有机发光显示装置的截面图；和图2A至2F为制备根据本实例实施方式的有机发光显示装置方法中各步骤的截面图。具体实施例方式参照图I将详细说明示例性实施方式。图I为根据本实例实施方式的有机发光显示装置的截面图。如图I所示，根据一个实施方式的有机发光显示装置包括基底10上的薄膜晶体管(TFT) 30、电容器20和有机发光装置40。图I仅示出了有机发光显示装置的一个像素，但该有机发光显示装置包括许多像素。电连接在TFT30和电容器20上的有机发光装置40发光。该有机发光装置40包括包含在每个像素内的像素电极41和42，为公共电极的对电极44，以及插入在像素电极41和对电极44之间的有机发光层43。因此，如果由TFT30和电容器20向像素电极41和42施加电压，即在像素电极41、42和对电极44之间形成适当的电压条件，则有机发光层43发光。像素电极41可为由如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)形成的透明电极层，像素电极42可为由如钥(Mo)形成的低电阻电极层。像素电极41和42可部分地形成多层结构。对电极44 可包括由如 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li 和 / 或 Ca 形成的薄膜型层的半渗透反射层，或者可包括由如Ι 、IZO、或ZnO形成的透光的金属氧化物。插入在像素电极41、42和对电极44之间的有机发光层43可具有堆叠结构，其中，发光层(EML)以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个堆叠。为透明电极层的像素电极41和有机发光层43接触，且为低电阻电极层的像素电极42使TFT30的源极36和漏极37与像素电极41连接。尽管图I未示出，在对电极44上可进一步形成保护层。此外，有机发光显示装置可用例如玻璃密封。附图标记50表示像素界定层。有机发光层43和对电极44可形成在通过蚀刻像素界定层50暴露的像素电极41上。其次，TFT 30包括形成在基底10上的栅极31和32、覆盖该栅极31和32的第二绝缘层33 (或栅绝缘层)、形成在该第二绝缘层33上的有源层34、覆盖该有源层34的第三 绝缘层35 (或蚀刻停止层)、以及源极36和漏极37。每个源极36和漏极37通过第三绝缘层35的孔35a与有源层34连接。在基底10上可进一步形成缓冲层(图未示)。该缓冲层可由无机材料如二氧化硅形成。栅极31和32在基底10上可形成为单层或多层。在本实施方式中，栅极31和32可形成为类似于像素电极41和42的多层，其中栅极31可为透明电极层，栅极32可为低电阻电极层。第二绝缘层33可由如二氧化硅、氧化钽和/或氧化铝形成。然而，示例性实施方式并不限于此。在第二绝缘层33上形成有源层34。有源层34可由氧化物半导体如G-I_Z_0层[a (In2O3) b (Ga2O3) c (ZnO)层]形成，其中a、b和c分别为满足a彡0、b彡O、和c > O条件的实数。在另一个实例中，有源层34可为Hf-In-Zn-O层。覆盖有源层34的第三绝缘层35可由如二氧化硅、氧化钽、和/或氧化铝形成。然而，实例实施方式并不限于此。源极36和漏极37形成在第三绝缘层35上以通过孔35a接触有源层34。漏极37与像素电极42连接。现将描述电容器20的结构。电容器20包括顺序堆叠在基底10上的第一电极层21和22、第一绝缘层25和第二电极层26。第一电极层21和22分别由与上述TFT 30的栅极31和32相同的层形成。第一电极层21和22可形成为多层结构，即第一电极层21可为透明电极层，第一电极层22可为低电阻电极层，分别类似于栅极31和32。第一绝缘层25由与TFT 30中的第三绝缘层35相同的层形成。第二电极层26由与TFT 30中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.14 KR 10-2011-00224491.一种有机发光显示装置，包括 有机发光装置； 电连接至所述有机发光装置的薄膜晶体管；和 电连接至所述有机发光装置的电容器，所述电容器包括彼此相对的第一电极层和第二电极层，以及作为单层插入在所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一绝缘层。2.如权利要求I所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极层包括在基底上的透明电极层，和在所述透明电极层上的低电阻电极层。3.如权利要求I所述的有机发光显示装置，其中所述薄膜晶体管包括 包含具有与所述电容器的所述第一电极层的相同厚度的同一材料的栅极，所述栅极和所述第一电极层直接设置在同一兀件上； 在所述栅极上的第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上的有源层； 在所述有源层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层为与所述第一绝缘层的相连的层；和在所述第三绝缘层上并连接至所述有源层的源极和漏极，所述源极和所述漏极包含与所述电容器的所述第二电极层的相同厚度的同一材料。4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述栅极包括在基底上的透明电极层，和在所述透明电极层上的低电阻电极层。5.如权利要求I所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光装置包括连接至所述薄膜晶体管的像素电极，与所述像素电极相对的对电极，和插入在所述像素电极和所述对电极之间的有机发光层。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴商一，崔千基，安泰琼，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：