一种多层结构V2O3限流元件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、配制介质陶瓷浆料及导电陶瓷浆料；b、在巴块模板上形成介质陶瓷膜，并用加热方式使其干燥固化形成陶瓷层；c、在已固化的陶瓷层上形成导电陶瓷膜；d、用加热方式形成V2O3功能层；e、在已固化的V2O3功能层上形成介质陶瓷膜；f、使介质陶瓷膜固化形成陶瓷层；g、继续执行c至f步骤直至形成所需要的陶瓷层或V2O3功能层数，经切割后而制成多层结构V2O3限流元件的生坯；h、将多层结构V2O3限流元件的生坯排胶、烧结，制成多层结构V2O3限流元件的芯片，再经端涂、电镀工序制成成品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种V2O3限流元件的制备方法，特别涉及一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。
技术介绍
长期以来，掺杂BaTiO3陶瓷一直是人们所熟悉的典型PTC材料，施主掺杂BaTiO3陶瓷在居里点附近电阻增加IO3-IO7倍，显示出显著的PTC特性。BaTiO3PTC热敏陶瓷元件在电子设备、家用电器等方面获得了极为广泛的应用，但由于其PTC待性来源于陶瓷晶界效应，不可避免地受电压和频率的影响，同时在掺杂BaTiO3陶瓷中难以获得很低的常温电阻率(〈3 Q _)和较大的通流能力(> 3A )，因而材料在大电流条件下的应用受 到限制。让设计人员无法做出更多更好的选择，阻碍了电子工业的进步。因此，急需提供高电压和大电流的一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供高电压和大电流的一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。本专利技术的一种多层结构V2O3限流元件的制备方法基本构思是掺杂V2O3陶瓷是一种新型PTC材料，同BaTiO3陶瓷相比，其PTC效应来源于体内温度诱发的M-I相变，这种体效应不受电压和频率的影响，而且该材料具有低的常温电阻率(K本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层结构V2O3限流元件的制备方法，其特征是按照以下步骤制备 a、介质陶瓷粉末、V2O3导电陶瓷粉末分别与粘合剂混合而配制成介质陶瓷浆料及导电陶瓷楽■料； b、在巴块模板上用介质陶瓷浆料通过涂布或流延方式形成介质陶瓷膜，并用加热方式使其干燥固化形成陶瓷层； C、在已固化的陶瓷层上用导电陶瓷浆料通过涂布或流延方式形成导电陶瓷膜； d、用加热方式使涂布或流延的导电陶瓷膜固化形成V2O3功能层； e、在已固化的V2O3功能层上用介质陶瓷浆料通过涂布或流延方式形成介质陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨敬义，刘青，
申请(专利权)人：成都顺康新科孵化有限公司，
类型：发明
国别省市：