高阻值低B值负温度系数热敏电阻制造技术

本发明专利技术公开了一种高阻值低B值负温度系数热敏电阻，主要由金属氧化物和溶剂混合制成，所述金属氧化物包括如下重量百分比的成分：Mn2O3?20%~40%、Ni2O3?30%~50%、Fe2O3?20%~40%、CuO?1%~5%、MgO?1%~5%。本发明专利技术的优点是：其线性较好，很方便应用在测温行业；金属氧化物采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合：当B值做到3400K~3500K时，电阻率可做到250～300(kΩ.mm)；可在较宽温度范围内使用，即可在高、低温时同时使用；能满足特殊客户使用，以免在高温段因阻值较小信号较弱需要串联电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种热敏电阻，具体说是ー种高阻值低B值负温度系数热敏电阻。
技术介绍
目前NTC (Negative Temperature Coefficient的缩写，意思是负的温度系数)热敏电阻采用现有的配方和技术只能做到低阻值、低B值，若B值做到3400ΙΓ3500Κ，电阻率只能做到10 50 (k Ω . mm);而且很难实现高阻值、低B值之配方组合，高阻值、低B值即B值做到3400ΙΓ3500Κ，电阻率可做到250 300 (k Ω . _)。低阻低B、因阻值较小，无法在低、高温段同时使用，因高温时阻值非常小，因NTC特性是随温度升高阻值变小，反之则变大。在高温使用时信号较弱，无法满足特殊客户之要求。
技术实现思路
专利技术目的为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供ー种线性较好、可在较宽温度范围内使用的高阻值低B值负温度系数热敏电阻及其制造方法。技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案为ー种高阻值低B值负温度系数热敏电阻，主要由金属氧化物和溶剂混合制成，所述金属氧化物包括如下重量百分比的成分Mn2O3 20% 40%、Ni2O3 30% 50%、Fe2O3 20% 40%、CuO 1% 5%、Mg0 1% 5%。所述热敏电阻的电阻率P为250 300 (k Ω . mm)，材料常数B为3400K 3500K。上述高阻值低B值负温度系数热敏电阻的制造方法，该方法包括如下步骤I)陶瓷浆料制备将上述各金属氧化物的成分按照重量百分比混合，然后加入こ醇、粘合剂、分散剂配成浆料，其中金属氧化物こ醇粘合剂分散剂的重量比=1 :0. 3 O. 5 :0· 5 O. 7 :0· 05 O. I ;2)流延成型，将配置好的浆料置于真空箱中，采用导管将浆料吸水承载膜上，得厚度为20 70 μ m的膜，然后环形传送并经烘箱以30 60°C烘干各层，循环制作至设计的层数和厚度，烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片；3)制电极，将烧结好的瓷片两面涂覆银电极；4)划片，根据阻值需求划成所需尺寸；即得到所述电阻率P为250 300(kQ.mm)，材料常数B为3400K 3500K的热敏电阻。所述粘合剂为电子陶瓷こ烯基改性粘合剤。有益效果与现有技术相比，本专利技术的优点是1)其线性较好，很方便应用在测温行业；2)金属氧化物采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合当B值做到3400ΙΓ3500Κ时，电阻率可做到250 300(kQ.mm) ;3)可在较宽温度范围内使用，即可在高、低温时同时使用；4)能满足特殊客户使用，以免在高温段因阻值较小信号较弱需要串联电阻。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进ー步的详细说明。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本专利技术的保护范围。实施例I :ー种高阻值低B值负温度系数热敏电阻，主要由金属氧化物和溶剂混合制成，所述金属氧化物包括如下重量百分比的成分Mn2O3 30%、Ni2O3 40%、Fe2O3 28%、CuO1%, MgO 1%。上述高阻值低B值负温度系数热敏电阻的制造方法，该方法包括如下步骤I)陶瓷浆料制备将上述各金属氧化物的成分按照重量百分比混合，然后加入こ醇、粘合剂、分散剂配成浆料，其中金属氧化物こ醇粘合剂分散剂的重量比=1 :0. 4 O. 6 :0. 08 ;粘合剂CK24为市售产品；CK24是ー种电子陶瓷こ烯基改性粘合剂；分散剂采用型号为BYKllO的分散剂。2)流延成型，将配置好的浆料置于真空箱中，采用导管将浆料吸水承载膜上，得厚度为20 70 μ m的膜，然后环形传送并经烘箱以30 60°C烘干各层，循环制作至设计的层数和厚度，烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片；3)制电极，将烧结好的瓷片两面涂覆银电极；4)划片，根据阻值需求划成所需尺寸；即得到上述高阻值低B值负温度系数热敏电阻。经检测，该热敏电阻的材料常数B为3400K 3500K，电阻率P为250 300 (kQ·mm ノ。检测电阻率算法P =RS/T式中R NTC芯片在25°C温度下(测试精度在+/-0· 02 °C )测得的阻值S =NTC芯片的面积长X宽T:NTC芯片的厚度B 值算法B= (T1*T2/ (Τ2-Τ1)) * In (R1/R2)T1/T2 一般为 25/85，或者 25/50，或者 25/100。Rl=温度Tl时之电阻值R2=温度T2时之电阻值Tl=298. 15K(273. 15+25°C )Τ2=323· 15Κ(273· 15+50°C )实施例2 :与实施例I基本相同，所不同的是金属氧化物的成分以及金属氧化物与溶剂的配比，具体如下金属氧化物包括如下重量百分比的成分Mn2O3 20%、Ni2O3 50%、Fe2O3 20%、CuO 5%,MgO 5%。金属氧化物こ醇粘合剂分散剂的重量比=1 0. 3 0. 5 0. 05。 经检测，该热敏电阻的材料常数B为3400K 3500K，电阻率P为250 300 (kQ·mm ノ。实施例3 :与实施例I基本相同，所不同的是金属氧化物的成分以及金属氧化物与溶剂的配比，具体如下金属氧化物包括如下重量百分比的成分Mn2O3 40%、Ni2O3 30%、Fe2O3 25%、CuO 2%,MgO 3%。金属氧化物こ醇粘合剂分散剂的重量比=1 :0. 5 :0. 7 :0. I。经检测，该热敏电阻的材料常数B为3400K 3500K，电阻率P为250 300 (kQ·mm ノ。实施例4 :与实施例I基本相同，所不同的是金属氧化物的成分以及金属氧化物与溶剂的配比，具体如下金属氧化物包括如下重量百分比的成分Mn2O3 21%、Ni2O3 33%、Fe2O3 40%、CuO 4%,MgO 2%。金属氧化物こ醇粘合剂分散剂的重量比=1 0. 35 0. 6 0. 07。 经检测，该热敏电阻的材料常数B为3400K 3500K，电阻率P为250 300 (kQ·mm ノ。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高阻值低B值负温度系数热敏电阻，主要由金属氧化物和溶剂混合制成，其特征在于，所述金属氧化物包括如下重量百分比的成分=Mn2O3 20% 40%、Ni2O3 30% 50%、Fe2O320% 40%、CuO 1% 5%、Mg0 1% 5%。2.根据权利要求I所述的高阻值低B值负温度系数热敏电阻，其特征在于，所述热敏电阻的电阻率P为250 300 (k Ω . mm),材料常数B为3400K 3500K。3.根据权利要求I所述的高阻值低B值负温度系数热敏电阻的制造方法，其特征在干，该方法包括如下步骤 O陶瓷浆料制备将上述各金属氧化物的成分按照重量百分比混合，然后加入こ醇、粘合剂、分散剂配成浆料，其中金属氧化物こ醇粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梅凤，
申请(专利权)人：句容市博远电子有限公司，
类型：发明
国别省市：