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本发明涉及一种多层结构V2O3限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、配制介质陶瓷浆料及导电陶瓷浆料；b、在巴块模板上形成介质陶瓷膜，并用加热方式使其干燥固化形成陶瓷层；c、在已固化的陶瓷层上形成导电陶瓷膜；d、用加热方式形成...
该专利属于成都顺康新科孵化有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都顺康新科孵化有限公司授权不得商用。

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