V2O3复合限流元件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种V2O3复合限流元件的制备方法。该制备方法是按照以下步骤制备：a、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒；b、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯；c、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片；d、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。本发明专利技术的V2O3复合限流元件的制备方法解决了己有PTC陶瓷限流元件存在不易低阻化，易分层；V2O3限流元件存在易碎裂，寿命短，以及高分子PTC元件存在恢复特性差，寿命短等问题。利用本制造方法能制备出各种规格的超小型，大电流的限流元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种限流元件的制备方法，特别涉及一种V2O3复合限流元件的制备方法。
技术介绍
长期以来，掺杂BaTiO3陶瓷一直是人们所熟悉的典型PTC材料，施主掺杂BaTiO3陶瓷在居里点附近电阻增加IO3-IO7倍，显示出显著的PTC特性。BaTiO3PTC热敏陶瓷元件在电子设备、家用电器等方面获得了极为广泛的应用，但由于其PTC待性来源于陶瓷晶界效应，不可避免地受电压和频率的影响，同时在掺杂BaTiO3陶瓷中难以获得很低的常温电阻率(〈3 Q _)和较大的通流能力(> 3A )，因而材料在高电压和大 电流条件下的应用受到限制。让设计人员无法做出更多更好的选择，阻碍了电子工业的进步。因此，急需提供一种高电压和大电流的V2O3复合限流元件的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高电压和大电流的V2O3复合限流元件的制备方法。本专利技术需要解决的技术问题是克服PTC陶瓷限流元件存在不易低阻化，易分层；V2O3限流元件存在易碎裂，寿命短，以及高分子PTC元件存在恢复特性差，寿命短等问题。本专利技术技术解决方案为在V2O3陶瓷粉末中添加聚四氟乙烯乳液，以V2O3陶瓷粉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种V2O3复合限流元件的制备方法，其特征是按照以下步骤制备 a、以V2O3陶瓷粉末为基材，在其中添加聚四氟乙烯乳液，经混和器进行干法混合，造粒; b、直接将造粒后的粉料加入模具，放入压机预压成型制成毛坯； c、然后将毛坯放入烧结炉内烧结；形成复合限流元件芯片； d、冷却后可利用电镀或溅射方式在芯片两端形成金属电极。2.根据权利要求I所述的V2O3复合限流元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨敬义，
申请(专利权)人：成都顺康电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：