一种太阳电池用铜铟硒硫薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种非真空的湿化学法制备CuIn(Se,S)2薄膜的方法，包括如下步骤：（a）前躯体墨水制备（b）前躯体薄膜制备（c）干燥（d）退火处理。本发明专利技术所提供的铜铟硫薄膜制备方法，与传统的高真空气相法相比，其工艺简单，成本低，可重复性强，易实现大规模生产，原料物化性质稳定安全性好，原料利用率高，可促进铜铟硒硫薄膜太阳能电池产业化快速发展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电材料新能源领域，具体涉及ー种太阳能电池吸收层铜铟硒硫薄膜的制备方法。
技术介绍
近年来作为洁净能源的太阳能电池发展迅速。薄膜太阳能电池因具有成本低、可大規模生产、并易于集成等优点将成为太阳能电池的主要发展方向。目前太阳能电池主要采用单晶硅和真空条件下制备的薄膜材料，但由于其价格昂贵，限制了太阳能电池的进ー步推广和应用。因此，开发价格低廉的光电转换材料是太阳能电池大規模生产的关键。 铜铟硒硫薄膜作为光吸收层是太阳能电池的最关键组分，是黄铜矿结构的ー种多元化合物半导体材料，其制备エ艺将影响材料的性能，并且在薄膜太阳能电池的制备过程中，吸收层的制备エ艺起着决定性的作用，它不但与降低生产成本息息相关，而且与转化率、能否大規模生产等产业化中的问题密不可分。在黄铜矿结构薄膜的众多制备方法中，由于印刷或打印的方法可以在任意沉底(如玻璃、屋顶、墙面)上制备太阳能电池并可以大大降低电池成本，因而利用墨水来印刷薄膜太阳能电池引起了广泛的关注。然而，印刷的前提是开发出高质量印刷油墨，为此，墨水的制备技术也引起了国内外科学家的浓厚兴趣。近几年来已研发出两种墨水，分别为半导体纳米晶墨水和前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池用铜铟硒硫薄膜的制备方法，其特征在于按如下的步骤进行 a)前躯体墨水制备将含Cu、含In、含S的化合物，按照Cu:In: S摩尔比为4-4. 8:3:9-15，溶入适量吡啶溶剂中，加热至65-80 °C，搅拌8_15 min,得到蓝黑色前躯体墨水； b)前躯体薄膜制备将步骤a中所述墨水利用旋涂的方法，在钠钙玻璃Mo衬底上涂前躯体薄膜，反复旋涂，可制备出500-2000 nm厚度的薄膜； c)干燥将步骤b所制备的前躯体薄膜，在80°C下干燥1-5 min，然后再接着采用1000-1500 r/min进行旋涂，干燥处理； d)退火处理将步骤c干燥后的前躯体薄膜，进行硒化退火处理形成铜铟硒硫薄膜。2.权利要求I所述的制备方法，其中所述步骤a)中含Cu化合物为CuCl，含In化合物为InCl3 · 4H20 ;所述含硫化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉绣，杜桂香，
申请(专利权)人：天津师范大学，
类型：发明
国别省市：