一种铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，其化学通式为MeIn2Si2O8:xCe3+，其中MeIn2Si2O8是基质，其中0.01≤x≤0.05，Me为Al、Ga、In或Tl。该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，其化学通式为MeIn2Si2O8:xCe3+，其中MeIn2Si2O8是基质，其中0.01≤x≤0.05，Me为Al、Ga、In或Tl。该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。【专利说明】铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜、制备方法及其应用
本专利技术涉及一种铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显不器的铺掺杂铟娃酸盐发光薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的电致发光器件及其制备方法。 一种铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeIn2Si2O8:xCe3+，其中 MeIn2Si2O8 是基质，0.01 彡 x 彡 0.05，其中，Me 为 Al、Ga、In 或 Tl ; 该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm?300nm。 一种铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤: 将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为 1.0X KT2Pa ?LOXKT3Pa ； 调节衬底的温度为250°C?650°C，转速为50转/分钟?1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据MeIn2Si2O8: xCe3+各元素的化学计量比将(DPM) 2Me、(DPM) 3In、硅烷和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及 通入氧气，进行化学气相沉积得到化学通式为MeIn2Si2O8: xCe3+的铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，其中MeIn2Si2O8是基质，0.01彡x彡0.05，Me为Al、Ga、In或Tl。 在优选的实施例中，所述衬底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌或掺铟的氧化锌。 在优选的实施例中，所述IS气气流量为5?15sccm,所述氧气气流量为10?200sccmo 在优选的实施例中，将所述衬底装入所述反应室后先将所述衬底在300°C?700°C热处理10分钟?30分钟。 一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的化学通式为 MeIn2Si2O8:xCe3+，其中 MeIn2Si2O8 是基质，0.01 彡 x 彡 0.05，Me 为 Al、Ga、In 或 Tl。 在优选的实施例中，所述发光层的厚度为80nm?300nm。 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeIn2Si2O8:xCe3+，其中MeIn2Si2O8是基质， 0.01 ^ X ^ 0.05，其中，Me 为 Al、Ga、In 或 Tl ;及 在所述发光层上形成阴极。 在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤: 将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为 1.0X KT2Pa ?LOXKT3Pa ； 调节衬底的温度为250°C?650°C，转速为50转/分钟?1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据MeIn2Si2O8: xCe3+各元素的化学计量比将(DPM) 2Me、(DPM) 3In、硅烷和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈通入反应室内，氩气气流量为5?15sccm ; 通入氧气，进行化学气相沉积在所述阳极上形成发光层，发光层的化学通式为MeIn2Si2O8:xCe3+，其中 MeIn2Si2O8 是基质，0.01 彡 x 彡 0.05，Me 为 Al、Ga、In 或 Tl。 上述铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜(MeIn2Si2O8: xCe3+)的电致发光光谱(EL)中，掺杂元素Ce是发光体系中的激活元素，在结构组成中进入了 In3+离子的晶格，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例1制备的铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的电致发光谱图； 图3为实施例1制备的铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的XRD图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 一实施方式的铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的化学通式为 MeIn2Si2O8:xCe3+，其中 MeIn2Si2O8 是基质，0.01 彡 x 彡 0.05，其中，Me 为 Al、Ga、In 或 Tl。 铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜中，掺杂元素Ce是发光体系中的激活元素，在结构组成中进入了 In3+离子的晶格。 该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm?300nm。 优选的，X为0.03，厚度为150nm。 上述铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤: 步骤S11、将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为L0X10_2Pa ?1.0X10_3Pa。 本实施方式中，衬底为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0),可以理解，在其他实施例中，也可以为掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(ΙΖ0)。 衬底先后用甲苯、丙酮和乙醇超声清洗5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入反应室。 优选的，反应室的真空度为4.0X 10_3Pa。 本实施方式中，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.0 X 10_2Pa? 1.0XlO-3Pa0 步骤S12、调节衬底的温度为250°C?650°C，转速为50转/分钟?1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据MeIn2Si2O8 = XCe3+各元素的化学计量比将β 二酮酸盐((DPM)2Me), β 二酮铟((DPM) 3Ιη)、硅烷(SiH4)和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈(Ce (TMHD)4)通入反应室内。 优选的，将衬底装入反应室后先将所述衬底在300°C?700°C热处理10分钟?30分钟。 该步骤中，IS气气流量为5?15sccm。优选为lOsccm。 本实施方式中，0.01彡X彡0.05。 步骤S13、然后通入氧气，进行化学气相沉积得到铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜其化学通式为 MeIn2本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜，其特征在于，该铈掺杂铟硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeIn2Si2O8:xCe3+，其中MeIn2Si2O8是基质，0.01≤x≤0.05，其中，Me为Al、Ga、In或Tl。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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