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本发明涉及一种非真空的湿化学法制备CuIn(Se,S)2薄膜的方法，包括如下步骤：（a）前躯体墨水制备（b）前躯体薄膜制备（c）干燥（d）退火处理。本发明所提供的铜铟硫薄膜制备方法，与传统的高真空气相法相比，其工艺简单，成本低，可重复性强，...
该专利属于天津师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津师范大学授权不得商用。

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