双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)开孔；(2)清洗、制绒；(3)采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子；第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4)在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子；(5)采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子；第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；(6)将硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子；(7)热氧化、退火；(8)设置减反射膜；(9)设置孔金属电极；印刷，烧结。本发明专利技术采用离子注入的方法，较好地控制注入的位置，由其得到的太阳能电池不存在扩散制结处的短路问题；清洗去除掺杂后的硅片表层原子，获得了高质量的表面状态，实现对硅片表面的良好的钝化，取得了显著的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于太阳电池领域。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是ー种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。高效化是目前晶体硅太阳电池的发展趋势，通过改进表面织构化、选择性发射结、前表面和背表面的钝化，激光埋栅等技术来提高太阳能电池的转化效率，但由于其需要特殊的设备和复杂的エ艺流程，产业化进程受到制約。 目前，背接触硅太阳电池(MWT太阳电池)受到了大家的广泛关注，其优点在于由于其正面没有主栅线，減少了电池片的遮光，提高了电池片的转换效率，在制作组件吋，可以减少焊带对电池片的遮光影响，同时采用新的封装方式可以降低电池片的串联电阻，减小电池片的功率损失。传统的背接触晶体硅太阳电池的制备方法为制绒、扩散制结、刻蚀、清洗、镀膜、打孔、印刷、烧结。另ー方面，在当今硅材料日益紧缺的情况下，为了充分提高太阳电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)在娃片上开孔； (2)清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒； (3)采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子，形成第一掺杂层；所述第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反； (4)采用离子注入的方法在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子，第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反； (5)采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子，形成第二掺杂层；所述第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同； (6)将上述硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子，去除深度为f IOOnm ;所述清洗液包括氧化剂和溶解剂，所述氧化剂选自HN03、H2SO4, H2O2, CH3COOH和O3中的一种或几种，所述溶解剂选自NH4HF2、HF和NH4OH中的一种或几种； (7)将上述硅片进行热氧化、退火； (8)在硅片的正面和背面设置减反射膜； (9)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触晶体硅太阳能电池。2.根据权利要求I所述的双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述硅片为N型硅片，所述第一掺杂原子为硼，第二掺杂原子为磷。3.根据权利要求2所述的双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(7)和(8)之间，在硅片的注入硼原子的一面沉积氧化铝。4.根据权利要求I所述的双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑶和⑷中的离子注入的条件为离子注入能量l(T200KeV，剂量1014 1017 cm_2，掺杂深度10(T800nm。5.根据权利要求I所述的双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的离子注入的条件为离子注入能量l(T200KeV，剂量IO14IO17 cm_2，掺杂深度 100 1200nm。6.根据权利要求I所述的双面背...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷涵玉，王登志，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：发明
国别省市：