一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3)在硅片的背面进行扩磷；(4)开孔；(5)刻蚀周边结、清洗；(6)在硅片的正面和孔内进行扩硼；(7)刻蚀；(8)设置钝化减反射膜；(9)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明专利技术解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题，在太阳能电池背面与导电孔，以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，属于太阳电池领域。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。高效化是目前晶体硅太阳电池的发展趋势，通过改进表面织构化、选择性发射结、前表面和背表面的钝化，激光埋栅等技术来提高太阳能 电池的转化效率，但由于其需要特殊的设备和复杂的工艺流程，产业化进程受到制约。目前，背接触硅太阳电池(MWT太阳电池)受到了大家的广泛关注，由于背接触晶体硅太阳电池的受光面没有主栅线，这就大大降低了受光面栅线的遮光率，提高了电池片的转换效率，所以背接触晶体硅太阳能电池成为目前太阳电池研发的热点。另一方面，N型硅片由于其材料本身的特点，材料体寿命高，且没有光衰减，因此被逐渐应用于高效太阳电池的研发。N型电池通常正面采用硼扩散形成PN结，背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)在N型硅片的正面和背面进行制绒； (2)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层； 所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置； 所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域； (3)在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层； (4)在娃片上开孔； (5)刻蚀周边结、去除硅片背面的阻挡层、清洗； (6)在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层； (7)刻蚀周边结；去除硅片表面的杂质玻璃； (8)在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜； (9)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。2.—种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)在N型硅片上开孔； (2)在N型硅片的正面和背面进行制绒； (3)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层； 所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置； 所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域； (4)在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层； (5)刻蚀周边结、去除硅片背面的阻挡层、清洗； (6)在硅片的正面和孔内进行扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：王登志，殷涵玉，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：发明
国别省市：