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本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司授权不得商用。