基板处理装置及方法制造方法及图纸

技术编号:7775746 阅读:191 留言:0更新日期:2012-09-15 18:16
本发明专利技术提供一种基板处理装置及一种基板处理方法,其能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料。该基板处理装置包括:一腔室单元,包括一内部空间,该内部空间被划分成一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少一个材料喷嘴单元,设置于该腔室单元的该薄膜形成段中,用以喷射一沉积材料至所传送的一基板;以及一冷却板单元,设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。此外,该基板处理装置更包括至少一个冷阱单元,该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元的一下部,用以收集由该材料喷嘴单元喷射的全部沉积材料中未沉积于基板上而遗留的残余沉积材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于ー种基板处理装置以及ー种基板处理方法,更具体而言,是关于ー种能够防止基板受热并有效地收集残余沉积材料的基板处理装置及基板处理方法。背景技木太阳能电池(solar cell)系例如通过以下方式制成形成硒(Se)或含Se化合物之一薄膜于一太阳能电池基板上,并将该Se薄膜图案化成具有一预定图案。更具体而言,通过例如化学气相沉积(chemical vapor deposition ;CVD)及物理气相沉积(physicalvapor deposition ;PVD)等气相沉积制程(vapor deposition process)而形成多数个薄膜层于ー玻璃基板上。之后,将所述多个薄膜层图案化以制造太阳能电池。用于太阳能电池的沉积材料系在由一汽化器(vaporizer)加热后以ー汽化状态供应至玻璃基板。由一加热单元加热该沉积材料之一传送线(transfer line)及一喷射单元(injection unit),以传送汽化的沉积材料至玻璃基板。因此,受到加热的传送线及喷射単元会升高腔室的内部温度,导致置于腔室中的基板受热。如此ー来,会降低沉积材料的沉积效率。由于沉积效率降低,未沉积于玻璃基板上而残余的沉积材料可能会沉积于腔室的内壁上或腔室中各种组件的外表面上,进而会污染装置并降低装置的寿命。
技术实现思路
[技术问题]本专利技术提供ー种基板处理装置以及ー种基板处理方法,其能够通过集中地冷却用于执行气相沉积的腔室中的薄膜形成段而提升沉积材料的沉积效率,藉此防止置于薄膜形成段中的基板受热。本专利技术亦提供ー种基板处理装置及ー种基板处理方法,其能够通过为薄膜形成段设置ー残余沉积材料收集单元而防止残余沉积材料造成污染,藉此延长装置的寿命。[技术解决方案]根据ー实例性实施例,ー种基板处理装置包括一腔室単元,包括一内部空间,该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少ー个材料喷嘴单元,设置于该腔室単元的该薄膜形成段中,用以喷射ー沉积材料至所传送的一基板;以及ー冷却板単元(cooling plate unit),设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段并适以冷却该薄膜形成段的内部。该基板处理装置可更包括ー上贯穿孔与ー下贯穿孔,分别形成于该腔室単元的该薄膜形成段的一上表面与一下表面;以及ー上封盖与ー下封盖,分别可移除地安装至该上贯穿孔与该下贯穿孔,其中该冷却板单元包括至少ー上冷却板及一下冷却板,该上冷却板与该下冷却板分别与该上封盖与该下封盖一体成型。 该冷却板単元可包括一第一侧面冷却板及一第二侧面冷却板,该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别设置于该腔室単元的该引入段与该薄膜形成段之间以及该薄膜形成段与该卸出段之间。 该基板处理装置可更包括一第一侧面贯穿孔与一第二侧面贯穿孔,位于该腔室単元的ー侧壁上,并位于对应多个边界的多个位置处,所述多个边界介于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间;以及一第一侧面封盖与ー第二侧面封盖,分别可移除地安装至该第一侧面贯穿孔与该第二侧面贯穿孔,其中该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别与该第一侧面封盖与该第二侧面封盖一体成型。该腔室単元可更包括一滑轨,该滑轨形成于该腔室単元的一下部内表面,并位于对应所述多个边界的多个位置处,所述多个边界介于于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间,且该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板通过在所述滑轨上滑动而进出于该腔室単元的该内部空间。该基板处理装置可更包括至少ー个冷讲单元(cold trap unit),该至少一个冷讲单元设置于该材料喷嘴单元下方,用以收集未沉积于该基板上而残余的该沉积材料。根据另ー实例性实施例,ー种基板处理装置包括一腔室単元,包括一内部空间,该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少ー个材料喷嘴单元,设置于该腔室単元的该薄膜形成段中,用以喷射ー沉积材料至所传送的一基板;以及至少ー个冷阱单元,设置于该材料喷嘴单元下方,用以收集未沉积于该基板上而残余的该沉积材料。该冷阱単元可包括一基准面(base plane),设置成涵盖一区域的一下部面积,该区域中设置有该材料喷嘴单元;多数个散热片(heat sink),垂直地安装至该基准面;一冷却路径,形成于所述多个散热片处,俾使ー冷却水于该冷却路径中流动;以及ー支撑封盖,适以支撑该基准面的至少ー个侧面。该腔室単元可包括至少ー个第三侧面贯穿孔,该至少ー个第三侧面贯穿孔形成于该腔室単元的ー侧壁上,并位于设置有该材料喷嘴单元的该区域的一下部部分;且该支撑封盖系可移除地安装至该第三侧面贯穿孔,俾使该冷阱单元与该支撑封盖成一体地分开及安装。所述多个散热片可相间隔地垂直安装,各该散热片自该基准面延伸至长于该材料喷嘴单元的ー长度,以及所述多个散热片的多个上端具有自该冷阱单元的ニ外部朝该冷阱单元的一中部逐渐减小的高度。该冷却路径可形成于所述多个散热片的外表面上,以面朝该冷阱単元的一中部。该腔室単元可包括至少ー个滑轨,该至少一个滑轨形成于该腔室単元的一下部内表面上,且位于设置有该冷阱単元的一位置处,且该冷阱单元的该基准面可通过在该滑轨上滑动而进出于该腔室単元的该内部空间。该基板处理装置可更包括一冷却板単元,该冷却板单元设置成围绕该腔室単元的该薄膜形成段,并适以冷却该薄膜形成段的内部。该基板处理装置可更包括一基板传送单元,该基板传送单元设置于该腔室単元的该内部空间中,并适以将该基板依序地传送至该引入段、该薄膜形成段及该卸出段。该基板传送单元可包括多数个第一滚轮,设置于该腔室単元的该引入段中;至少ニ第二滚轮,设置于该腔室単元的该薄膜形成段中;以及至少ニ第三滚轮,设置于该腔室単元的该卸出段中,其中所述多个第一滚轮可被供以ー冷却媒体并相应地被冷却,且所述多个第二滚轮可被选择性地供以另ー冷却媒体或ー加热媒体,并相应地被冷却或加热。该材料喷嘴单元可包括一直线式喷嘴(linear nozzle),包括形成于其中的ー馈送路径,用于馈送该沉积材料以喷射该沉积材料;以及一反射器(reflector),围绕该直线式喷嘴的一侧部及一上部。该反射器可包括多数个板构件,所述多个板构件系相间隔地交叠。根据又ー实例性实施例,ー种基板处理方法包括冷却一薄膜形成段,以执行蒸气沉积,该薄膜形成段形成于ー腔室単元的一内的一内部空间中;引入一基板至该薄膜形成段;通过喷射ー沉积材料至该基板,形成一薄膜层;将未沉积于该基板上而残余的该沉积材料收集至一冷阱单元;自该薄膜形成段卸出该基板;以及更换该冷阱单元。 该基板处理方法可更包括于引入该基板至该薄膜形成段之前,冷却该基板。在形成该薄膜层期间,可通过交替地操作设置于该薄膜形成段中的至少ニ材料喷嘴単元,连续地喷射该沉积材料。[有利效果]根据实例性实施例,可致使基板受热的周围因素被尽可能地消除,且基板直接或间接地受到冷却。因此,可提升沉积ー沉积材料至一基板的效率。此外,因提供一专用单元以收集在沉积材料的气相沉积后所产生的残余沉积材料,故可防止基板处理装置的内部受到残余沉积材料的污染。因此,可延长装置的寿命。一冷却単元于该装置中围绕ー薄膜形成段设置以冷却一反应空间,该冷却单元以及一残余沉积材料收集单元被配置成可轻易地与该装置连接及分离。因此,可选择性地更换受本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.09 KR 10-2009-00962881.一种基板处理装置,包括 一腔室单元,包括一内部空间,该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少一个材料喷嘴单元,设置于该腔室单元的该薄膜形成段中,用以喷射一沉积材料至所传送的一基板;以及 一冷却板单元,设置成围绕该腔室单元的该薄膜形成段,并适以冷却该薄膜形成段的内部。2.根据权利要求I所述的基板处理装置,其特征在于,更包括 一上贯穿孔与一下贯穿孔,分别形成于该腔室单元的该薄膜形成段的一上表面与一下表面;以及 一上封盖与一下封盖,分别可移除地安装至该上贯穿孔与该下贯穿孔, 其中该冷却板单元包括至少一上冷却板及一下冷却板,该上冷却板与该下冷却板分别与该上封盖与该下封盖一体成型。3.根据权利要求I所述的基板处理装置,其特征在于,该冷却板单元包括一第一侧面冷却板及一第二侧面冷却板,该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别设置于该腔室单元的该引入段与该薄膜形成段之间以及该薄膜形成段与该卸出段之间。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,更包括 一第一侧面贯穿孔与一第二侧面贯穿孔,位于该腔室单元的一侧壁上,并位于对应多个边界的多个位置处,所述多个边界介于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间;以及 一第一侧面封盖与一第二侧面封盖,分别可移除地安装至该第一侧面贯穿孔与该第二侧面贯穿孔, 其中该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板分别与该第一侧面封盖与该第二侧面封盖一体成型。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,该腔室单元包括一滑轨,该滑轨形成于该腔室单元的一下部内表面,并位于对应所述多个边界的多个位置处,所述多个边界介于于该引入段与该薄膜形成段之间以及介于该薄膜形成段与该卸出段之间,且 该第一侧面冷却板与该第二侧面冷却板通过在所述滑轨上滑动而进出于该腔室单元的该内部空间。6.根据权利要求I所述的基板处理装置,其特征在于,更包括至少一个冷阱单元,该至少一个冷阱单元设置于该材料喷嘴单元下方,用以收集未沉积于该基板上而残余的沉积材料。7.一种基板处理装置,包括 一腔室单元,包括一内部空间,该内部空间包括一引入段、一薄膜形成段及一卸出段;至少一个材料喷嘴单元,设置于该腔室单元的该薄膜形成段中,用以喷射一沉积材料至所传送的一基板;以及 至少一个冷阱单元,设置于该材料喷嘴单元下方,用以收集未沉积于该基板上而残余的沉积材料。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,该冷阱单元包括 一基准面,设置成涵盖一区域的一下部面积,该区域中设置有该材料喷嘴单元;多数个散热片,垂直地安装至该基准面; 一冷却路径,形成于所述多个散热片处,俾使一冷却水于该冷却路径中流动;以及 一支撑封盖,适以支撑该基准面的至少一个侧面。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴昞慜孔斗源孙成官赵晃新郑成在朴喜载
申请(专利权)人:韩商SNU精密股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1