液晶面板及其液晶配向方法技术

本发明专利技术公开了一种液晶面板及其液晶配向方法，其包括：提供第一基板，并于第一基板的表面上形成第一配向膜；提供与第一基板相对设置的第二基板，并于第二基板的表面上形成间隔设置的公共电极和像素电极以及覆盖公共电极和像素电极的第二配向膜；在第一配向膜和第二配向膜之间填充包括反应单体和液晶分子的液晶组合物；向像素电极和公共电极施加高频交流电场，以使反应单体和液晶分子垂直于高频交流电场方向以预倾角排列；继续施加高频交流电场，并利用紫外光进行照射，从而使预倾角固定，以对液晶分子进行配向。本发明专利技术不需通过摩擦来实现配向，避免对液晶面板造成污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种。
技术介绍
液晶面板包含阵列基板(TFT array substrate)和彩色滤光片基板(colorfilter substrate),阵列基板和彩色滤光片基板相对内侧的表面具有透明电极,液晶填充于阵列基板和彩色滤光片基板之间。液晶面板通过向透明电极施加电场控制液晶取向，以 改变光的偏振状态，再由偏光板实现光的穿透与阻挡，从而达到显示的目的。目前，根据液晶的初始排列与液晶在电场中的动作方式来区分，液晶面板主要有扭曲向列(Twist Nematic, TN)、垂直排列(Vertical Alignment, VA)、面内转换(In PanelSwitching, IPS)等显示模式。其中，由于IPS显示模式具有对比度高,响应速度快的特点，在液晶面板中已得到广泛应用。采用IPS显示模式的液晶面板在制造时，需要对液晶进行初始配向。现有技术中，对液晶进行配向是采用摩擦配向方式，其过程是用带有绒毛的摩擦辊滚动摩擦设置在阵列基板和彩色滤光片基板表面的配向膜，以在配向膜上形成同一方向的预倾角，使得液晶分子朝着同一方向以预倾角倾斜排列，而具有一致的旋光性。但是，摩擦配向会对配向膜造成颗粒污染，造成产品良率下降；并且，摩擦配向方式还会产生静电，击伤晶体管，导致液晶面板出现缺陷。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种，以避免摩擦配向方式对液晶面板造成的污染和缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种液晶配向方法，包括提供第一基板，并于第一基板的表面上形成第一配向膜；提供与第一基板相对设置的第二基板，并于第二基板的表面上形成间隔设置的公共电极和像素电极以及覆盖公共电极和像素电极的第二配向膜；在第一配向膜和第二配向膜之间填充液晶组合物，液晶组合物包括反应单体以及液晶分子；向像素电极与公共电极施加高频交流电场，以使反应单体和液晶分子垂直于高频交流电场方向以预倾角排列；继续施加高频交流电场，并利用紫外光进行照射，以使反应单体产生聚合反应沉积于第一配向膜和第二配向膜的表面，从而使预倾角固定，以对液晶分子进行配向。其中，液晶分子在高频交流电场中呈现负性液晶特性，液晶分子的长轴方向垂直于高频交流电场方向排列。其中，反应单体的长轴方向垂直于高频交流电场方向排列，且反应单体在高频交流电场中经紫外光照射后形成沉积于第一配向膜和第二配向膜的表面的液晶配向聚合物。其中，预倾角为0 5度。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种液晶面板，包括第一基板，第一基板的表面上设置有第一配向膜；设置在第一基板相对第二基板的表面上的第一配向膜；第二基板，与第一基板相对设置，第二基板的表面上间隔设置公共电极和像素电极，且在公共电极和像素电极上覆盖有第二配向膜；设置在第一配向膜和第二配向膜之间的液晶分子。第一配向膜和第二配向膜的表面具有液晶配向聚合物，以对液晶分子进行配向，使得液晶分子在未施加驱动电压时以预倾角排列。其中，驱动电压由低频交流电场提供，液晶分子在低频交流电场中呈现正性液晶特性，液晶分子的长轴方向平行于低频交流电场方向排列。其中，液晶分子在高频交流电场中进行配向，且液晶分子在高频交流电场中呈现负性液晶特性，液晶分子的长轴方向垂直于高频 交流电场方向排列。其中，液晶配向聚合物由反应单体在高频交流电场中经紫外光照射后形成。其中，在所述高频交流电场中，反应单体的长轴方向垂直于高频交流电场方向排列。其中，预倾角为0 5度。本专利技术的有益效果是区别于现有技术的情况，本专利技术的通过高频交流电场使反应单体和液晶分子以预倾角排列，再利用紫外光照射使预倾角固定，由此实现对液晶分子的配向。由于未采用摩擦配向方式，因此不会对液晶面板造成污染，且不会产生静电击伤和漏光等缺陷。进一步的，本专利技术的配向方法更便于对预倾角进行精确的控制，可实现更佳的暗态显示与更快速的响应，提高液晶面板对比度和响应速度。附图说明图I是本专利技术实施例的液晶配向方法的流程图；图2是本专利技术实施例的液晶面板在配向前的结构示意图；图3是本专利技术实施例的液晶面板在配向过程中施加高频交流电场的示意图；图4是本专利技术实施例的液晶面板在配向过程中利用紫外光进行照射的示意图；图5是本专利技术实施例的液晶面板在配向完成后的结构示意图；图6是本专利技术实施例的液晶面板工作时的示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。图I是本专利技术实施例的液晶配向方法的流程图。请参阅图1，本专利技术的液晶配向方法包括以下步骤步骤SI :提供第一基板,并于第一基板的表面上形成第一配向膜。步骤S2 :提供与第一基板相对设置的第二基板，并于第二基板的表面上形成间隔设置的公共电极和像素电极以及覆盖公共电极和像素电极的第二配向膜。步骤S3 :在第一配向膜和第二配向膜之间填充液晶组合物，液晶组合物包括反应单体以及液晶分子。步骤S4 :向像素电极与公共电极施加高频交流电场，以使反应单体和液晶分子垂直于高频交流电场方向以预倾角排列。步骤S5 :继续施加高频交流电场，并利用紫外光进行照射，以使反应单体产生聚合反应沉积于第一配向膜和第二配向膜的表面，从而使预倾角固定，以对液晶分子进行配向。下文将结合本专利技术液晶面板在配向前、配向过程中以及配向后的结构示意图进一步详细说明前述的液晶配向方法。请参阅图2，图2是本专利技术实施例的液晶面板在配向前的结构示意图。在液晶面板配向前，首先，提供第一基板10，并于第一基板10的表面上形成第一 配向膜101。在本实施例中，第一基板10是彩色滤光片基板。然后，提供与第一基板10相对设置的第二基板20，并于第二基板20的表面上形成间隔设置的公共电极202和像素电极203以及覆盖公共电极202和像素电极203的第二配向膜201。在本实施例中，第二基板20是阵列基板。公共电极202和像素电极203可采用ITO (氧化铟锡)、ZnO (原子层沉积生长氧化锌)或IZO (氧化铟锌)等同时具有透光性和导电性的材料。在第一配向膜101和第二配向膜201之间填充有液晶组合物30，液晶组合物30包括液晶分子301和反应单体302。液晶分子301具有透过施加一定电压而在特定方向上取向的特性，这种特性称为介电各向异性(dielectric anisotropy),介电各向异性的数值有正负之分，且液晶分子301介电各向异性会随着驱动电场频率的变化而改变。其中，介电各向异性为负的特性称为负性液晶特性，介电各向异性为正的特性称为正性液晶特性。在本实施例中，液晶分子301具有双频特性，具体而言液晶分子301在高频交流电场中呈现负性液晶特性，液晶分子301的长轴方向垂直于高频交流电场方向排列；同时，液晶分子301在低频交流电场中呈现正性液晶特性，液晶分子301的长轴方向平行于低频交流电场方向排列。本专利技术实施例中，反应单体302至少应在高频交流电场中具有负性液晶特性，即反应单体302的长轴方向垂直于高频交流电场方向排列。应理解，反应单体302也可以选用具有双频特性的单体，即在高频交流电场中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马小龙，黄宏基，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：