用于等离子体显示板的后基板和包括其的等离子体显示板制造技术

本发明专利技术公开了一种用于等离子体显示板(PDP)的后基板和一种包括该后基板的PDP。在后基板上的寻址电极包括堆叠含铝层和含银层的双层，并因此阻止了气体泄漏，不会发生表面裂纹或脱离，并且电阻不会增大，从而确保了可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于等离子体显示板的后基板和一种包括该后基板的等离子体显示板。更具体地，本专利技术涉及一种用于等离子体显示板的后基板，其具有包括通过堆叠含铝层和含银层形成的双层的寻址电极，可阻止气体泄漏、表面裂纹或脱离、和电阻增加，从而确保可靠性。
技术介绍
通常，含有银的电极用于等离子体显示板(PDP)的电极。因为含银电极具有高的密度，烧结后不会发生气体泄漏。但是，用银制造电极不符合成本效益，因为它高昂的价格，并由于银迁移可导致电阻的不均匀性或者电极端子短路。因此，含铝电极已经代替含银电极。但是，在含铝电极中，铝粉可能在刻蚀rop壁的工艺中被损坏，对招涂层造成损坏。另外，当粘结至带式载体封装(Tape CarrierPackage, TCP)，含铝电极可被分离或者降低耐久性。此外，含铝电极具有低的密度并且多孔。因此，在将前基板和后基板密封并向其引入氖气(Ne)和氙气(Xe)之后可能发生气体泄漏。为了解决该问题，增加含铝电极的密度。在这种情况下，但是，由于铝粒子之间的颈缩增加，电阻会增加，导致PDP驱动电压增加，并使含铝电极很难应用于rop。或者，增加玻璃粉的含量来解决这些问题时，电阻也会增加，很难驱动rop。另外，银和铝的浆料混合物可降低银的导电性，并引起银和铝之间的电位差，因此电阻可大幅增加。使用银和铝的合金，导电性可进一步劣化。因此，有必要开发一种用于rop的后基板，它符合成本效益也具有高的粘合性和耐久性，因为它不会气体泄漏、阻力增加以及表面裂纹或损坏。
技术实现思路
本专利技术一方面提供了一种用于包括基板的等离子体显示板(PDP)的后基板；以及在该基板上形成并包括堆叠有含铝层和含银层的双层的寻址电极。该双层可由含银层堆叠在含铝层上而形成。含铝层和含银层可与基板毗邻，含铝层在寻址电极的纵向可被分为第一部分和第二部分，含银层在寻址电极的纵向可被分为第三部分和第四部分，并且双层可通过堆叠该第二部分和第三部分形成。双层可通过在第二部分上堆叠第三部分形成。双层可通过在第三部分上堆叠第二部分形成。从与含银层毗邻的含铝层末端开始，双层可具有3mm或以上的长度。双层可具有5至20 μ m的厚度。寻址电极可包括厚度比为I : O. I至I : 9的含银层和含铝层。本专利技术另一个方面提供了一种包括该后基板的rop。附图说明以下将结合附图进行详细描述，本专利技术的上述和其它方面、特点和优点将会变得显而易见，其中图I为根据本专利技术的一个示例性实施方式的PDP的后基板的截面图；图2为根据本专利技术的另一个示例性实施方式的TOP的后基板的截面图；图3为根据本专利技术在基板上设置寻址电极的后基板的平面图；以及图4为根据本专利技术的一个示例性实施方式的rop的透视图。具体实施例方式现将详细描述本专利技术的实施方式。 本专利技术一方面提供了一种用于等离子体显示板(PDP)的后基板，包括基板；以及在该基板上形成并包括堆叠含铝层和含银层的双层的寻址电极。双层可通过在含铝层上堆叠含银层形成。或者，双层可通过在含银层上堆叠含铝层形成。具体地，含银层可堆叠在含铝层上。在此，“含铝层”和“含银层”可分别指包括铝和银作为导电粉的电极浆料组合物形成的层。该基板可为普遍用于PDP后基板的任何基板,例如,玻璃基板。寻址电极可包括厚度比为I : O. I至I : 9的含银层和含铝层。在此范围内，不会发生气体泄漏和电阻增加。具体地，厚度比可为I : I至I : 9。在寻址电极中，含铝层和含银层可与基板毗邻，含铝层在寻址电极的纵向可被分为第一部分和第二部分，含银层在寻址电极的纵向可被分为第三部分和第四部分，并且双层可通过堆叠第二部分和第三部分形成。在此，双层可通过在第二部分上堆叠第三部分形成或者在第三部分上堆叠第二部分形成。含铝层的第一部分和第二部分，以及含银层的第三部分和第四部分可具有的长度没有具体地限制，但根据寻址电极或其他类似物的双层的长度而变化。含铝层的第一部分和第二部分在长度上可能没有具体地限制，但其形成要使双层具有3mm或以上的长度。含银层的第三部分和第四部分在长度上可能没有具体地限制，但其形成要使双层具有3mm或以上的长度。例如，在寻址电极中，含铝层和含银层可与基板毗邻，并且双层可由含银层部分地堆叠在含铝层上形成。在此，从与含银层毗邻的含铝层末端开始，双层可具有3mm或以上的长度，优选5至20mm。图I为根据本专利技术的一个示例性实施方式的rop的后基板的截面图。如图I所示，寻址电极117包括含铝层117b、含银层117a、以及含银层117a部分地堆叠在含招层117b上的双层,其形成于基板150上。在此,含招层117b被分为第一部分I和第二部分2，含银层117a被分为第三部分3和第四部分4，并且双层由第三部分3堆叠在第二部分2上形成。在图I中，双层的长度由s表示，并且可为3mm以上，优选5至20mm。另外，双层的厚度由t表示，并且可为5至20 μ m，优选7至15 μ m。在根据另一个示例性实施方式的寻址电极中，含铝层和含银层可与基板毗邻，并且双层可由含铝层部分地堆叠在含银层上形成。在此，从与含银层毗邻的含铝层末端开始，双层的长度可为3mm以上，优选5至20mm。图2为根据本专利技术的另一个示例性实施方式的rop的后基板的截面图。如图2所示，寻址电极117包括含铝层117b、含银层117a、以及含铝层117b部分地堆叠在含银层117a上的双层,其形成于基板150上。在此,含招层117b被分为第一部分I和第二部分2，含银层117a被分为第三部分3和第四部分4，并且双层由第二部分2堆叠在第三部分3上形成。在图2中，双层的长度由s表示，并且可为3mm以上，优选5至20mm。另外，双层的厚度由t表示，并且可为5至20 μ m，优选7至15 μ m。 长度和厚度在上述范围内的情况下，可阻止气体泄漏和电阻增加。图3为根据本专利技术的后基板的平面图，其中，寻址电极形成于基板上并且介电层在其上形成。如图3所示，包括含铝层117b、双层、和含银层117a的寻址电极117设置于基板150上。在图3中，双层具有图I或图2的形式。介电层115可在后基板150上形成，覆盖寻址电极117。含银层117a可连接到带式载体封装(TCP) 200。在图3中，m表示寻址电极的线宽，并且η表示端子的线宽。含铝层和含银层可由在该领域普遍使用的电极浆料组合物形成，但不限于此。电极浆料组合物可包括导电粉、粘合剂树脂、玻璃粉、光聚合化合物、引发剂和溶剂。含铝层可为包括30至70wt%的铝作为导电粉的电极浆料组合物，并且含银层可 为包括30至60wt%的银的电极浆料组合物。另外，除了铝或银之外，电极浆料组合物可进一步包括，但不限于，金(Au)、钯(Pd)、白金(Pt)、铜(Cu)、铬(Cr)、钴(Co)、锡(Sn)、铅(Pb)、锌(Zn)、铁(Fe)、铱(Ir)Jt (Os)、,老(Rh)、钨(W)、· (Mo)和镍(Ni)，其普遍用作导电粒子。导电粉可为球形、针形、片形和无定形导电粉中的至少一种，优选球形。铝可具有2至20 μ m的平均粒径(D50)，并且银可具有O. 5至2. 5 μ m的平均粒径(D50)。粘合剂树脂可为通过共聚合含羧基单体与含有乙烯不饱和双键的单体获得的共聚物，其中，含羧基单体诸如(甲基)丙烯酸和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.03 KR 10-2011-00189461.一种用于等离子体显示板(PDP)的后基板，包括 基板；以及 在所述基板上形成的并包括堆叠含铝层和含银层的双层的寻址电极。2.如权利要求I所述的后基板，其中，所述双层通过在所述含铝层上堆叠所述含银层形成。3.如权利要求I所述的后基板，其中，所述含铝层和所述含银层与所述基板毗邻，所述含铝层在所述寻址电极的纵向上被分为第一部分和第二部分，所述含银层在所述寻址电极的纵向上被分为第三部分和第四部分，并且所述双层通过堆叠所述第二部分和所述第三部分形成。4.如权利要求3所述的后基板，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东一，朴昶远，许伦旼，冈本珍范，朴珉秀，李元熙，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：