一种用于设计构形树的PCB板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成，电源层、地层为覆铜层，所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层，所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡，所述高介电常数介质层厚度为0.2mm～2mm，所述覆铜层的厚度为0.035mm～0.07mm。本实用新型专利技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路板，具体是ー种用于设计构形树的PCB板。
技术介绍
随着电子技术的飞速发展，电子产品越来越来越趋向高速、宽带、高灵敏度、高密集度和小型化，这种趋势导致了电路板设计中电磁兼容问题的严重化，特别是电源和地线的电磁干扰问题，成为目前电磁兼容设计中急待解决的技术难题和系统工程。传统方法是通过加去耦电容来抑制电源线中存在的干扰，但是去耦电容在频率比较高的情况下，效果并不理想。近年来，EBG结构被用于电源层来抑制高频噪声干扰，尤其是平面电磁带隙结构易于制作，获得了广泛的研究。不过典型的EBG结构并未考虑电源层上的电压降。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺点和不足，提供一种用于设计构形树的PCB板，本技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。本技术通过下述技术方案实现一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。所述电源层、地层为覆铜层。所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。所述高介电常数介质层厚度为0. 2mm 2mm。所述覆铜层的厚度为0. 035mm 0. 07mm。本技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。附图说明图I是本技术用于设计构形树的PCB结构示意图；图2是2级“H”形构形树的构造图；图3是2级圆形构形树的构造图；图4为I级“H”形构形树的构造图；图5为2级“H”形构形树电源层；图6为2级圆形构形树电源层；图7为I级“H”形构形树电源层；具体实施方式下面对本技术的具体实施方式作进ー步详细的说明，但本技术的实施方式不限于此。如图I所示，本技术用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层I、纳米材料层2、高介电常数介质层3、地层构成4 ;所述电源层I、地层4为覆铜层；所述纳米材料层2为高磁导率纳米材料层。所述高介电常数介质层3为介电常数为14000的钛酸钡。所述高介电常数介质层3厚度为0. 2mm 2mm。所述覆铜层的厚度为0. 035mm 0. 07mm。电源层设计，需要先根据构形理论设计出构形树，构形树将电流均匀分配到电源板各处，解决高电源电压降问题。然后在构形树的基础上设计出完整电源层。图2是2级“H”形构形树的构造图；图3是2级圆形构形树的构造图；图4为I级“H”形构形树的构造图；图5为2级“H”形构形树电源层；图6为2级圆形构形树电源层；图7为I级“H”形构形树电源层；如上所述，便可较好地实现本技术。权利要求1.一种用于设计构形树的PCB板，其特征在于依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。2.根据权利要求I所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述电源层、地层为覆铜层。3.根据权利要求2所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。4.根据权利要求3所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。5.根据权利要求4所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述高介电常数介质层厚度为0. 2mm 2_。6.根据权利要求2所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述覆铜层的厚度为0.035mm 0. 07mm。专利摘要本技术公开了一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成，电源层、地层为覆铜层，所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层，所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡，所述高介电常数介质层厚度为0.2mm～2mm，所述覆铜层的厚度为0.035mm～0.07mm。本技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。文档编号H05K1/02GK202406379SQ20112056176公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日专利技术者刘诗韵, 郭巍, 黄惠芬 申请人:华南理工大学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠芬，郭巍，刘诗韵，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：实用新型
国别省市：