气体歧管、光刻设备用模块、光刻设备及器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种气体歧管、用于光刻设备的模块、光刻设备和器件制造方法。所述气体歧管用以在光刻设备的光学部件的两个平行板之间引导气流，所述气体歧管包括：入口，用以提供气流至气体歧管；格构件，包括用以使所述气流均匀化的多个通孔；位于所述格构件下游的收缩装置，用以减小气流流过的横截面面积；和位于收缩装置下游的出口，用以提供气流至所述两个平行板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种气体歧管、用于光刻设备的模块、光刻设备以及用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是ー种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、ー个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，単独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每ー个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在IC制造过程中，对于微处理器的速度、存储器封装密度以及微电子部件的低功耗的持续改进需要持续地减小通过光刻设备从图案形成装置转移至衬底的图案的尺寸。然而，当集成电路的尺寸减小并且密度增大时，其对应的图案形成装置的图案的CD(临界尺寸)接近光刻设备的分辨率极限。光刻设备的分辨率被限定为设备能够重复地曝光到衬底上的最小特征。各种技木，已知的分辨率增强技木，已经被应用以扩展光刻设备的分辨率极限。ー种用以提高分辨率的技术是离轴照射。使用这种技木，以选定的非垂直角度照射图案形成装置，这可以提高分辨率，并且尤其地，通过提高焦深和/或对比度能够改进エ艺宽容度。在作为物平面的图案形成装置平面处的角分布对应光刻设备的光学布置的光瞳平面内的空间分布。通常，光瞳平面内的空间分布的形状被称为照射模式。ー种已知的照射模式是环形，其中光轴上的传统的零级光斑被改变为环形强度分布。另ー种模式是多极照射，其中形成不在光轴上的若干个光斑或束。多极照射模式的示例是包括两个极的双极和包括四极的四极。
技术实现思路
对于诸如两极和四极照射模式，光瞳平面内的极的尺寸相对于光瞳平面的总表面可以非常小。因此，用于曝光村底的辐射基本上全部仅在这些极的位置处的光瞳平面处或附近穿过不同的光学元件。穿过ー个或多个光学元件(例如一个或多个透镜)的辐射的一部分被这些元件吸收。这导致这些元件被辐射束不均匀地加热，从而导致折射率或反射率的局部改变以及元件的变形。折射率或反射率的局部改变以及元件的变形在通过投影系统投影到衬底上(例如衬底上的抗蚀剂层)时会导致变形的空间图像。美国专利第US7，525，640号提出一种解决上述问题的方案，这里通过參考全文并于此。一种可以解决不均匀升温的方案是设置例如横穿辐射束的路径并位于辐射束的路径内的光学部件。光学部件包括第一板，具有単独可寻址电的热传递装置，的热传递装置配置成局部地加热和/或冷却板，并且一般性地来说局部地加热和/或冷却光学部件。板和/或一般性地来说光学部件的折射率、反射率或变形可以通过改变在局部位置处的温度来改变。可以提供与第一板平行的另ー板例如作为光学部件的一部分。在两个平行板之间提供气流。这减小了在垂直于辐射束的方向上的热传递。否则，由于传导作用热可能从具有高温的位置传递至较低温度的位置，这降低了可实现的折射率、反射率或变形的变化梯度。同样，气体(例如，冷气体)被用作热传递装置的补偿。在一个实施例中，气体的温度(可以是特定温度)基本上与光学部件的温度(例如22°C ) 一祥，以便不干扰光学部件(可以是透镜)的热平衡。附加地，提供温度低于环境温度的气体，可以实现两方面( 例如加热和冷却)的校正。期望地，例如提供ー种气体歧管，其中采取措施以稳定在光刻设备的光学部件的至少两个平行板之间提供的气流。根据本专利技术的一方面，提供ー种气体歧管，用以在光刻设备的光学部件的至少两个平行板之间引导气流，所述气体歧管包括入口，用以提供气流至气体歧管；格构件，包括金属并且包括用以使所述气流均匀化的多个通孔；位于所述格构件下游的收缩装置，用以减小气流流过的横截面面积；和位于收缩装置下游的出口，用以提供气流至所述至少两个平行板。根据本专利技术的一方面，提供ー种气体歧管，用以在光刻设备的光学部件的至少两个平行板之间引导气流，所述气体歧管包括入口，用以提供气流至气体歧管；格构件，包括成规则的周期性结构形式的多个通孔、用于使所述气流均匀化；位于所述格构件下游的收缩装置，用以减小气流流过的横截面面积；和位于收缩装置下游的出口，用以提供气流至所述至少两个平行板。根据本专利技术的一方面，提供一种器件制造方法，包括使用投影系统将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上；使用布置成横向于辐射束的路径并位于辐射束的路径中的板来局部地改变辐射束的光程，所述板被局部地加热；和通过包括金属和多个通孔以使气流均匀化的格构件、收缩装置以及在板和与其平行的另ー板之间提供气体流动。根据本专利技术的一方面，提供一种器件制造方法，包括步骤使用投影系统将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上；使用布置成横向于辐射束的路径并位于辐射束的路径中的板来局部地改变辐射束的光程，所述板被局部地加热；和通过包括成规则的周期性结构的多个通孔以使气流均匀化的格构件、收缩装置以及板和平行于该板的另ー板之间提供气流。附图说明现在參照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图I示出了根据本专利技术一个实施例的光刻设备；图2示出包括两个平行板的光刻设备的光学部件的透视图；图3示出本专利技术的一个实施例的气体歧管、光学部件以及气流路径；图4示意地示出格构件的通孔；图5示出具有不同筛网的气体歧管的温度变化值；图6示出具有格构件和具有聚こ烯(甲基丙烯酸甲酷)(PMMA)壁的入口的不同组合的气体歧管的温度变化值；图7示出具有两个格构件的气体歧管的温度变化值，在ー种情形中是具有PMMA壁的入口部分，在另ー种情形中是具有钢壁的入口部分；和 图8示意地示出凸起，其可以用在气体歧管的壁上或入口部分的壁上。具体实施例方式图I示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用干支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的參数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的參数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.28 US 61/447,3941.ー种气体歧管，用以在光刻设备的光学部件的至少两个平行板之间引导气流，所述气体歧管包括 入口，用以提供气流至气体歧管； 格构件，包括金属并且包括用以使所述气流均匀化的多个通孔； 位于所述格构件下游的收缩装置，用以减小气流流过的横截面面积；和 位于收缩装置下游的出ロ，用以提供气流至所述至少两个平行板。2.如权利要求I所述的气体歧管，其中所述格构件的通孔规则地间隔。3.如权利要求I或2所述的气体歧管，其中所述格构件具有规则的编排。4.ー种气体歧管，用以在光刻设备的光学部件的至少两个平行板之间引导气流，所述气体歧管包括 入口，用以提供气流至气体歧管； 格构件，包括成规则的周期性结构的多个通孔，用于使所述气流均匀化； 位于所述格构件下游的收缩装置，用以减小气流流过的横截面面积；和 位于收缩装置下游的出ロ，用以提供气流至所述至少两个平行板。5.如权利要求4所述的气体歧管，其中所述格构件是刚性的。6.如权利要求4或5所述的气体歧管，其中所述格构件具有结构完整性，使得通孔的规则性不被格构件的操作所干扰。7.如前述权利要求中任一项所述的气体歧管，其中所述格构件包括串联定位的至少两个格构件。8.如权利要求7所述的气体歧管，其中任何下游的格构件的开ロ面积比至少与任何上游的格构件的开ロ面积比一祥高。9.如前述权利要求中任一项所述的气体歧管，还包括位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·J·J·范鲍克斯台尔，P·达姆波沃尔，A·A·H·范德斯泰恩，R·B·J·科尔德维基，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：