一种磁控溅射双银LOW-E玻璃制造技术

本实用新型专利技术涉及一种磁控溅射双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中，第一膜层即最内层为氮氧化硅层，第二膜层为镍铬层，第三膜层为金属银层，第四膜层为氧化镍铬层，第五膜层为氧化硅层，第六膜层为氧化镍铬层，第七膜层为金属银层，第八膜层为氧化镍铬层，最外膜层为氮氧化硅层。具有低辐射率、低U值、低遮阳系数、镀膜层与玻璃基片的结合力强、镀膜层致密、均匀的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种磁控溅射双银LOW-E玻璃。
技术介绍
随着节能减排政策的不断深入，从传统的阳光膜玻璃到单银LOW-E玻璃都已不再满足市场的需求，人们对节能的指标要求越来越高，就对双银产生了需求。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述存在问题，提供一种低辐射率、低U值、低遮阳系 数、镀膜层与玻璃基片的结合力强、镀膜层致密、均匀的磁控溅射双银LOW-E玻璃。本技术的目的是这样实现的包括有玻璃基片，在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中，第一膜层即最内层为氮氧化硅层，第二膜层为镍铬层，第三膜层为金属银层，第四膜层为氧化镍铬层，第五膜层为氧化硅层，第六膜层为氧化镍铬层，第七膜层为金属银层，第八膜层为氧化镍铬层，最外膜层为氮氧化硅层。本技术，第一膜层的厚度为23 27nm，第二膜层的厚度为！。、!!!!!，第三膜层的厚度为8 12nm，第四膜层的厚度为I. 5 3nm，第五膜层的厚度为58飞2nm，第六膜层的厚度为I. 5 3nm，第七膜层的厚度为8 12nm，第八膜层的厚度为I. 5 3nm，最外膜层的厚度为28 32nm。本技术，具有如下积极效果I)、采用磁控溅射法将镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏佳坤，
申请(专利权)人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司，
类型：实用新型
国别省市：