一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法技术

技术编号:7678560 阅读:172 留言:0更新日期:2012-08-16 01:16
本发明专利技术提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法,其主要步骤为:利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽,然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜,之后利用IBE对多层膜进行刻蚀,得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作,只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽,在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后,再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明专利技术只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽,并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:罗先刚赵泽宇王长涛王彦钦高平刘玲冯沁黄成杨磊磊陶兴
申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1