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一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法技术

技术编号:7678561 阅读:367 留言:0更新日期:2012-08-16 01:16
一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法,涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后,利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理,获得具有亲水性的硅片表面;在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球;利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径,得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球;将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜,利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀,交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护;用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物,最终得到硅纳米柱阵列。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李静岳闯尹君臧雅姝何绪吴孙桃
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:

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