基于微纳集成加工技术的三维减阻微流道结构及制备方法，涉及微加工技术领域。利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，增大其表面积和体积比；同时可在其表面淀积一层氟基聚合物，降低表面能，实现具有超疏水特性的表面结构，进而实现真正三维减阻微流道结构。本发明专利技术的有益效果：在不破坏原有微米尺度结构的基础上，生长高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，可实现纳米森林对微米尺度沟槽的100％覆盖，从而实现真正的三维减阻微流道。可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，使得微流道表面具有超疏水特性，从而实现优异减阻的效果。工艺简单，成本低廉，易于产业化。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海霞，张晓升，朱福运，褚世敢，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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