本发明专利技术提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本发明专利技术的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种透明性、气体遮断性等各种特性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的氧化物薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。更详细而言，涉及这些各种特性优异，尤其适合作为液晶显示器、有机EL显示器、等离子显示器或太阳能电池模块等气体遮断性材料的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的氧化物薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。
技术介绍
液晶显示器、有机EL显示器或太阳能电池等设备通常经不起湿气，使其特性因吸湿而迅速地劣化，所以必须配备具有高防湿性、即防止氧气或水蒸气等渗透或浸入的气体遮断性的组件。例如，在太阳能电池的例子中，在与太阳能电池模块的受光面的相反ー侧的背面设置有背板。该背板代表性的有在基材上包含具有高防湿性的气体遮断性材料和保护它们的部件等的背板。作为这种构成太阳能电池模块的背板，例如公开有通过高强度的耐热性、耐候性树脂夹层防湿性金属箔，另外在其一方设置玻璃质蒸镀皮膜而成的太阳能电池模块的背面保护用片材料(例如參考专利文献I)。在该片材料中，使用铝箔、镀锌铁箔、镀锡铁箔等金属箔作为气体遮断性材料。此外，公开有将层叠高防湿膜和高耐候膜并使其一体化而成的太阳能电池盖板材料使用在背面侧保护部件中的太阳能电池(例如參考专利文献2)。在该太阳能电池盖板材料中的高防湿膜中使用如下膜，即由CVD (化学蒸镀)、PVD (反应蒸镀)法等在PET膜等基材膜上形成防湿膜作为气体遮断性材料，所述防湿膜由ニ氧化硅、氧化铝等无机氧化物的涂月吴构成。并且，公开有具有基材膜和遮断层，遮断层为通过空心阴极型离子镀成膜的无机氮化物薄膜或无机氮化氧化物薄膜的透明遮断膜(例如參考专利文献3)。并且，公开有在太阳能电池元件的表面设置阻止水蒸气、氧气、分解物或添加剂的I种以上的滲透的阻挡层的太阳能电池模块(例如參考专利文献4)。该太阳能电池模块中使用通过由基于树脂膜、遮断性树脂膜、无机氧化物的蒸镀膜、硅化合物的水解的缩聚物构成的组合物的涂膜或者包括那些的2种以上的复合膜作为阻挡层。并且，公开有具备由呈无机氧化物层的塑料膜或塑料复合材构成的遮断层的光伏模块(例如參考专利文献5)。在该无机氧化物层中，氧化铝或氧化硅作为其涂层材料使用。并且，公开有由层叠体构成的太阳能电池用背面保护片，所述层叠体为在耐热、耐候性塑料膜上设置无机氧化物薄膜层并在该薄膜层面上层叠由相同树脂构成的其他耐热、耐候性塑料膜的层叠体(例如參考专利文献6)。在该太阳能电池用背面保护片中使用由氧化硅或氧化铝中的任ー个形成的薄膜层作为无机氧化物薄膜层。 并且，公开有在具有透明性的基材膜上依次层叠掺杂3价以上的金属或半导体而成的具有紫外线屏蔽特性的氧化锌层和气体遮断性优异的金属氧化物层而成的层叠体(例如參考专利文献7)。作为该层叠体的金属氧化物层，使用氧化硅、氧化铝或氧化镁。并且，公开有在高分子膜基材的至少单面通过气相沉积法成膜由金属或金属氧化物构成的气体遮断层并在该气体遮断层上形成含有超微颗粒的树脂层的具有防紫外线性的透明性气体遮断复合膜材料(例如參考专利文献8)。作为该透明性气体遮断复合膜材料的气体遮断层，使用由铝构成的单层结构或多层机构或者由氧化铝、氧化硅及氧化镁的至少I种构成的单层结构或多层结构。专利文献I :日本技术公告平2-44995号公报(技术登录权利要求及5栏的第41 44行)专利文献2 :日本专利公开2000-174296号公报(权利要求I、权利要求7及段)专利文献3 :日本专利公开2000-15737号公报(权利要求I)专利文献4 :日本专利公开2001-217441号公报(权利要求1、3)专利文献5 :日本专利公表2002-520820号公报(权利要求I及段)专利文献6 :日本专利公开2002-134771号公报(权利要求1、2)专利文献7 :日本专利公开平7-256813号公报(权利要求1、3及 段)专利文献8 :日本专利公开2000-6305号公报(权利要求1、7、8及段)然而，上述专利文献I所示的背面保护用片材料使用铝箔等金属箔作为气体遮断性材料，因此若将该片材料应用于太阳能电池模块的背板上，则存在耐电压性下降、电流泄漏之虞。并且，若使用金属箔的片材料中金属箔的厚度成为20 μ m以下，则增加在耐热性、耐候性树脂与金属箔之间产生的针孔，气体遮断性显著地下降。另ー方面，若加厚金属箔的厚度，则会产生制造成本上升之类的问题，并且，作为废弃物需进行分类，或者因为不透光，而不能使用在太阳能电池的受光面，并且在电源端子用插孔周围产生金属箔毛刺，有电路短路的危险。此外，在上述专利文献2 8中使用的ニ氧化硅、氧化铝等无机氧化物，如果要得到较高的气体遮断性，则必须将膜的厚度确保为IOOnm以上，即使如此也不能说气体遮断性充分。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够形成透明性及气体遮断性优异的薄膜的薄膜制造方法及薄膜形成用的共蒸镀用蒸镀材。本专利技术的另一目的在于提供ー种透明性及气体遮断性优异的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。 本专利技术的第I观点、即薄膜的制造方法，其中，使用由第I氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第I氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。本专利技术的第2观点、即根据第I观点的专利技术，进ー步地，以形成的膜的碱度为O. 03以上的方式组合由第I氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材。本专利技术的第3观点、即根据第I或第2观点的专利技术，进ー步地，以形成的薄膜的第I氧化物与第2氧化物的摩尔比率为5 85 95 15的方式组合由第I氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材。本专利技术的第4观点、即根据第I至第3观点的专利技术，进ー步地，升华性蒸镀材的第I氧化物为选自ZnO、CaO、Mg0、Sn02及CeO2中的至少I种，熔融性蒸镀材的第2氧化物为选自SiO2、Al2O3及TiO2中的至少I种。 本专利技术的第5观点、即根据第I至第4观点的专利技术，进ー步地，真空成膜法为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体蒸镀法、电阻加热法或感应加热法中的任意ー种。本专利技术的第6观点、即根据第I至第5观点的专利技术，进ー步地，升华性蒸镀材的第I氧化物颗粒的平均粒径及熔融性蒸镀材的第2氧化物颗粒的平均粒径分别为O. I 10 μ m。本专利技术的第7观点、即共蒸镀用蒸镀材，其中，用于根据第I至第6观点的制造方法，包括由第I氧化物构成的升华性蒸镀材与由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材的组合。本专利技术的第8观点、即根据第7观点的专利技术，进ー步地，升华性蒸镀材的第I氧化物为选自Zn0、Ca0、Mg0、Sn02及CeO2中的至少I种，熔融性蒸镀材的第2氧化物为选自Si02、Al2O3及TiO2中的至少I种。本专利技术的第9观点、即ー种根据第7或第8观点的专利技术，进ー步地，升华性蒸镀材的第I氧化物颗粒的平均粒径及熔融性蒸镀材的第2氧化物颗粒的平均粒径分别为O. I 10 μ m0本专利技术的第10观点、即氧化物薄膜，通过根据第I至第6观点的制造方法得到，使用由第I氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法成膜，并本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：有泉久美子，吉田勇气，樱井英章，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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