磁性随机存取存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供磁性随机存取存储器及其制造方法。该磁性随机存取存储器具有：半导体基板；选择晶体管，其形成于所述半导体基板的表面部，具有栅电极、栅绝缘膜、源以及漏；和存储元件，其设置于所述源或所述漏上，具有磁化的方向可变的磁化存储层、磁化的方向固定的磁性参照层以及设置于所述磁化存储层与所述磁性参照层之间的非磁性层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，开发出了利用隧道磁阻效应(TMR :Tunneling Magneto Resistive)的磁性随机存取存储器(MRAM Magnetic Random Access Memory)。在该磁性随机存取存储器中，使用含有磁隧道结(MTJ :Magnetic Tunnel Junction)的磁阻效应元件,具有较大的磁阻变化率。在当前正在研究的自旋注入写入方式中，通过对磁阻效应元件注入电流，使得磁阻效应元件中的磁化的方向反转。此时,一般，向磁阻效应元件流通的电流,从MISFET (Met al-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)的漏经由接触插塞而流通。但是，在该情况下，存在漏与接触插塞的接触阻抗(电阻)、接触插塞自身的阻抗以及接触插塞与磁阻效应元件的电极的接触阻抗等的寄生阻杭， 在电流从漏向磁阻效应元件流通吋，电流值减小。因此，产生了不能确保在将磁阻效应元件的磁化反转时所必需的电流这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供可充分确保用于磁阻效应元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野町映子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：