发光装置封装及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置封装及其制造方法，该发光装置封装包括：其上设置有安装部和端子部的封装本体；安装在安装部上的发光装置芯片；电连接发光装置芯片的电极和端子部的接合线。该接合线包括从发光装置芯片上升至环峰的上升部以及连接环峰和端子部的延伸部。上升部上设置有沿着与上升部上升的方向相交的方向弯曲的第一弯折部。

【技术实现步骤摘要】
发光装置封装及其制造方法
本专利技术涉及发光装置封装及其制造方法。
技术介绍
发光装置芯片，例如发光二极管(LED)，是指通过构成穿过化合物半导体PN结的发光源而发出各种颜色光的半导体装置。LED具有的优势在于它使用寿命长、体积小、重量轻、光的方向性强以及驱动电压低。另外，LED可应用于各种领域，因为它们非常抗冲击和震动、不需要预热、驱动方式简单并且可以各种形式封装。发光装置芯片(诸如LED)在安装于模架和由金属制成的引线框上之后通过封装工艺而制造成为发光装置封装。
技术实现思路
本专利技术提供包括具有高耐久性的接合线的发光装置封装以及该发光装置封装的制造方法。其他方面会在下文的描述中部分地加以阐明，并且部分地从描述中显而易见，或者可通过实施所提出的实施方式而获知。根据本专利技术的一方面，发光装置封装包括：封装本体，其上设置有安装部和端子部；发光装置芯片，其安装在安装部上；以及接合线，其电连接发光装置芯片的电极和端子部，其中接合线包括从发光装置芯片上升至环峰(looppeak)的上升部以及连接环峰和端子部的延伸部，其中，上升部上设置有沿着与上升部上升的方向相交的方向弯曲的第一弯折(kink)部。延伸部可包括：跨接部，其从环峰朝着端子部延伸；以及下降部，其从跨接部朝着端子部下降并且具有接合至端子部的端部，其中，跨接部上设置有向下弯曲的第二弯折部。接合线和发光装置芯片可以被透明封装层覆盖。封装本体可包括形成空腔的上框以及在空腔下方形成一结构并允许安装部和端子部设置于其上的引线框，其中接合线和发光装置芯片被填充在空腔内的透明封装层覆盖。根据本专利技术的另一方面，提供一种发光装置封装，包括：发光装置芯片；端子部；电连接发光装置芯片和端子部的接合线；以及覆盖发光装置芯片和接合线的透明封装层，其中接合线包括沿着与接合线延伸的方向相交的方向弯曲的弯折部。接合线可形成连接发光装置芯片和端子部的导线环，并且弯折部可朝着导线环的内侧弯曲。接合线可包括：从发光装置芯片上升至环峰的上升部、从环峰朝着端子部延伸的跨接部、以及从跨接部朝着端子部下降的下降部，其中弯折部设置在上升部和跨接部中的至少一个上。根据本专利技术的另一方面，发光装置封装的制造方法包括：将发光装置芯片安装在封装本体的安装部上；通过降低供应导线的细管(capillary)并将导线的端部接合至发光装置芯片的电极焊盘而形成第一连接部；沿着上升路径升高细管，以便形成接合线的形状；通过朝着封装本体的端子部降低细管并将导线的另一端部接合至端子部而形成第二连接部；以及切断接合线，其中上升路径包括从穿过第一连接部的竖直基准线朝着端子部弯曲的至少一个突出路径。接合线可包括从第一连接部朝着环峰向上延伸的上升部以及连接环峰和端子部的延伸部，其中上升路径包括分别对应于上升部和延伸部的第一上升路径和第二上升路径，其中突出路径设置在第一和第二上升路径中的至少一个上。延伸部可包括：跨接部，其从环峰朝着端子部延伸；以及下降部，其从跨接部朝着端子部下降并且具有接合至端子部的端部，其中第二上升路径包括分别对应于跨接部和下降部的第三上升路径和第四上升路径，其中突出路径包括设置在第一上升路径上的第一突出路径和设置在第三上升路径上的第二突出路径。第一上升路径的对应于环峰的端部可设置在关于竖直基准线与端子部相对的一侧。附图说明从以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见且更容易理解，附图中：图1是根据本专利技术实施方式的发光装置封装的横截面图；图2是示出图1中发光装置封装的接合线的详细横截面图；图3是示出施加压缩应力时第一弯折部的运动的视图；图4是示出施加膨胀应力时第一弯折部的运动的视图；图5是示出施加膨胀应力时第二弯折部的运动的视图；图6是示出施加压缩应力时第二弯折部的运动的视图；图7是用于说明根据本专利技术实施方式的发光装置封装的制造方法的横截面图，示出了通过将导线接合至发光装置芯片的电极焊盘而形成第一连接部的情况；图8是用于说明图7的方法的横截面图，示出了用于形成接合线形状的细管的上升路径；图9是用于说明图7的方法的横截面图，示出了通过将导线接合至引线框的端子部而形成第二连接部的情况；以及图10是用于说明图7的方法的横截面图，示出了形成第二连接部之后将导线切断的情况。具体实施方式下文将参照附图说明本专利技术的实施方式。在附图中，相同的参考标号表示相同的元件，并且为了清楚起见，可以扩大元件的尺寸或厚度。图1是根据本专利技术实施方式的发光装置封装1的横截面图。参照图1，发光装置封装1可包括封装本体2，其中形成有安装发光装置芯片300的空腔3。发光装置芯片300可以为发光二极管(LED)芯片。根据用于形成LED芯片的化合物半导体的材料，LED芯片可发出蓝光、绿光和红光。例如，蓝色LED芯片可包括有源层，该有源层包括通过交替设置GaN和InGaN而形成的多个量子阱层，并且由AlXGaYNZ化合物半导体形成的P型覆盖层和N型覆盖层可形成在有源层下方和上方。另外，LED芯片可发射没有颜色的紫外线(UV)光。虽然发光装置芯片300为图1所示的LED芯片，但本专利技术的实施方式不限于此。例如，发光装置芯片300可以为UV光电二极管芯片、激光二极管芯片、有机发光二极管芯片。封装本体2可包括导电引线框200以及上框100。引线框200可包括其上安装有发光装置芯片300的安装部210以及通过利用导线接合电连接至发光装置芯片300的第一端子部220和第二端子部230。例如，第一和第二端子部220和230可分别通过接合线401和402连接至发光装置芯片300的阳极和阴极。第一和第二端子部220和230可超出上框100而部分地暴露以用作向发光装置芯片300供应电流的端子。引线框200可通过压制或蚀刻诸如铝或铜的导电金属板材料而制成。上框100可以为通过例如嵌入成型(insertmolding)耦接至引线框200的模架。上框100可以由例如电绝缘聚合物形成。上框100形成为凹形，通过该凹形露出安装部210以及第一和第二端子部220和230。因此，空腔3是形成在封装本体2中的。安装部210以及第一和第二端子部220和230构成位于空腔3下面的结构。空腔3的内表面101可以为反射从发光装置芯片300发出的光的反射表面，以使光从发光装置封装1发出。为此，可将具有高光反射性的材料，例如，银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)、铬(Cr)或铜(Cu)，涂覆或沉积在内表面101上。可替换地，可以接合由上述材料形成的板。可替换地，内表面101的至少一部分可以由引线框200形成。因此，发光装置封装1被构造成使得发光装置芯片300设置在基本上为凹形的空腔3的底面上，并且封装本体2的内表面101用作用于反射光的反射部，以将光发射到发光装置封装1的外部。引线框200的安装部210以及第一和第二端子部220和230可在上框100下面露出，以用作发热表面。由诸如硅的透明树脂形成的封装层500形成在空腔3内，以便保护发光装置芯片300以及接合线401和402不受外界影响。封装层500中可包含用于将发光装置芯片300发出的光转换成具有期望颜色的光的荧光材料。荧光材料可以由单一成分或者两种或多种成分的混合物构成。图2是示出连接图1中的发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.01.07 KR 10-2011-00017931.一种发光装置封装，包括：封装本体，其上设置有安装部和端子部；发光装置芯片，其安装在所述安装部上；以及接合线，其电连接所述发光装置芯片的电极和所述端子部，其中，所述接合线包括从所述发光装置芯片上升至环峰的上升部以及连接所述环峰和所述端子部的延伸部，其中，所述上升部上设置有沿着与所述上升部上升的方向相交的方向弯曲的第一弯折部。2.根据权利要求1所述的发光装置封装，其中，所述接合线和所述发光装置芯片被透明封装层覆盖。3.根据权利要求1所述的发光装置封装，其中，所述封装本体包括形成空腔的上框以及在所述空腔下方形成一结构并允许所述安装部和所述端子部设置于其上的引线框，其中，所述接合线和所述发光装置芯片被填充在所述空腔内的透明封装层覆盖。4.根据权利要求1所述的发光装置封装，其中，所述延伸部包括：跨接部，其从所述环峰朝着所述端子部延伸；以及下降部，其从所述跨接部朝着所述端子部下降并且具有接合至所述端子部的端部，其中，所述跨接部上设置有向下弯曲的第二弯折部。5.根据权利要求4所述的发光装置封装，其中，所述接合线和所述发光装置芯片被透明封装层覆盖。6.根据权利要求4所述的发光装置封装，其中，所述封装本体包括形成空腔的上框以及在所述空腔下方形成一结构并允许所述安装部和所述端子部设置于其上的引线框，其中，所述接合线和所述发光装置芯片被填充在所述空腔内的透明封装层覆盖。7.一种发光装置封装，包括：发光装置芯片；端子部；接合线，其电连接所述发光装置芯片和所述端子部；以及透明封装层，其覆盖所述发光装置芯片和所述接合线，其中，所述接合线包括沿着与所述接合线延伸的方向相交的方向弯曲的弯折部。8.根据权利要求7所述的发光装置封装，其中，所述接合线形成连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林栽允，吴国珍，李峻吉，
申请(专利权)人：三星LED株式会社，
类型：发明
国别省市：