一种非挥发性存储器件的编程方法技术

本发明专利技术公开了一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；于编程时刻，在栅极和漏极,或栅极和源极施加脉冲宽度相同的正向同步脉冲。本发明专利技术通过扩大热电子注入编程时电子注入区域的范围，增加注入电子的数量，从而提高电子的注入效率，使得存储窗口增大。同时，扩大的注入范围，可以有效降低电子窄范围注入时对隧穿介质层带来的损坏，提高非挥发性存储器的可靠性，延长电荷在存储层中的保持时间以及增加存储其编程/擦除的次数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于非挥发性存储器
，特别涉及一种非挥发性存储器的编程方法。
技术介绍
由于非挥发性半导体存储器所具有的掉电后信息仍能保存的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗较小，其很快成为了半导体存储器家族的热门领域，其市场不断迅速发展，受到了工业界及学术界的广泛关注。传统的堆栈栅非挥发性存储器的编程是一般采用FN直接隧穿或者沟道热电子注 A(CHE)的方式，电子从衬底隧穿进入浮栅中存储起来。FN直接隧穿方式所需的操作电压较高，编程速度较慢，且得到的存储窗口较小。采用CHE方式时，位于衬底表面的电子在横向电场的作用下被加速，成为热电子，到达靠近漏极时发生碰撞，产生热电子-空穴对，在纵向电场的作用下，部分电子发生隧穿进入电荷存储层，从而实现对非挥发性存储器件的编程操作。这种编程方式操作电压较低，编程速度快，编程效率高，其存储窗口较之FN编程也有很大的增加。另外一种较常用是分裂栅非挥发性存储器件，采用源极注入编程(SSI)的操作电压方式，其基本原理与CHE相似，也是热电子注入。即在选择栅和浮栅之间的沟道区域存在一个大的水平方向的高电场，电子被加速，具有最大的碰撞电离率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：霍宗亮，姜丹丹，刘明，张满红，王琴，刘璟，李冬梅，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：