化合物半导体微波功率芯片结温测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化合物半导体微波功率芯片结温测试装置，包括对称设置的两个底座，在每个底座上分别固定设有同轴微带转接头和带线，所述两个底座通过对称分布的两个横梁固定连接；所述每个横梁上分别设有螺栓；所述每个带线的带线金属上均焊接有接触式压片；所述两个底座之间设有芯片载体；所述接触式压片与芯片载体的射频端口连接。本发明专利技术的有益效果如下：本发明专利技术所述测试装置不需要通过反复装卸线缆来整体更换芯片和测试底座，因而能够提高测试精度和测试效率；芯片载体可以制作的非常薄，因而测得热阻更接近于芯片的热阻，保证了测试准确度；将带线与水平面呈30°～60°角可以减小底座厚度，同时减小接触式压片的长度，提高射频传输性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测试装置，尤其是一种化合物半导体微波功率芯片结温测试装置，属于微波、毫米波元器件的测试

技术介绍
GaAs, GaN及SiC等化合物半导体材料具有禁带宽、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，因此它们大量应用在半导体微波功率器件制作中。GaAs,GaN及SiC等化合物半导体材料可制作成微波功率芯片，微波功率芯片经过适当装配后成为器件。工程师通常使用红外测试系统对微波功率芯片的发热区进行温度测试，以便为器件的后续装配提供应用依据。他们在测试过程中遇到一个问题微波功率芯片的厚度很薄，通常只有80微米 100微米之间，为了测试结温，通常需要将其烧结在载体或其它形式的封装里，并通过载体或其它形式的封装对器件加电工作，载体越薄，热阻计算越接近微波功率芯片的热阻，但实际对微波功率芯片的结温特性进行测试时，需外接微波测试转接端口(如同轴接口)、连接线缆、仪表等，需要大大加厚微波功率芯片的转配载体或其它形式的封装，导致实际测得的结温偏离目的结温，从而影响最终微波功率芯片热阻计算的准确度。目前，通常的结温测试方法是制作简单的测试底座，将器件安装在底座上，根据器件的实际本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王会智，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：