【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于金属的防腐清洗液。
技术介绍
现有技术中典型的清洗液主要是去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水等，这些清洗液主要用于清洗随着微电子技术的发展，甚大规模集成电路芯片集成度已达几十亿个元器件，特征尺寸已经进入纳米级，这就要求微电子工艺中的几百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质必须要经过化学机械平坦化。在化学机械平坦化处理之后，由抛光浆料的颗粒、化学添加剂以及抛光过程中的反应产物所构成的污染物会残留在晶圆的表面上。这些污染物必须在进入到下一步骤之前清洗干净，以避免降低器件的可靠性。对于金属材料来说，还要能在清洗过程中保护金属表面不受腐蚀，避免产生缺陷并导致半导体器件性能变差。现有技术中典型的清洗液主要是去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水等，这些清洗液主要用于清洗前序工艺中的残留液。该前序工艺比如是1)化学机械抛光工艺，经过化学机械抛光后的金属表面会残留少量的抛光液；2)刻蚀去强光阻工艺，该工艺之后也会残留去强光阻液；幻沉积工艺以及其他工艺等等。其中的残留液被清洗干净后，但金属表面的腐蚀仍然存在。金属表面的腐蚀会影响金属表面平坦度，也使缺陷水平居高不下，从...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：荆建芬，张建，蔡鑫元，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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