磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法技术

技术编号：7541417 阅读：452 留言：0更新日期：2012-07-13 05:32

本发明专利技术涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明专利技术采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强0.5Pa～2Pa，生长温度200℃~500℃，溅射功率为50W~100W的条件下，在硅基底材料上直接生长一层﹤30nm的Ge薄膜，然后通过原位600℃～800℃退火，降温至室温，制备单层Ge量子点。本发明专利技术具有生产成本低、可控性好、简易而高效、易于产业化生产制备Ge量子点。