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本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强0.5Pa～2Pa，...
该专利属于云南大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南大学授权不得商用。

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