TFT-LCD阵列基板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅极线金属层、与栅极线金属层交叠设置的数据线金属层以及包覆设置在栅极线金属层和数据线金属层周围的多个层体，栅极线金属层上设有并行且交替排列的第一栅极线和第二栅极线，数据线金属层上设有并行且交替排列的第一数据线和第二数据线；第一栅极线和第二栅极线电连接；第一数据线和第二数据线电连接。实施本实用新型专利技术的TFT-LCD阵列基板，可以降低TFT–LCD有源矩阵的断线发生率，提高了产品的开口率，并且可以提高产品的良率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种TFT-IXD阵列基板。
技术介绍
由于TFT ( Thin Film Transistor，薄膜晶体管)-LCD具有体积小、低功耗、无辐射等优点，近些年来得到迅猛发展。液晶面板是液晶显示器的重要部件，其包括CF基板与阵列基板，两者中间夹一层液晶。在TFT-LCD阵列基板的制造过程中，虽然竭力控制，但还是不可避免的会产生栅极线或数据线的断线的缺陷，此缺陷不仅难以修复，而且还会造成成本与制程上的巨大浪费。如图1所示，为现有技术TFT-LCD阵列基板中对栅极线与数据线进行断线修复的结构示意图，在图1中，原本一根的数据线与公共电极线分别被分为两段，分别在位置Y、Z连接在一起。当位置X的栅极线发生断线时，可以按照下述方式进行修复，将数据线在图中Dl、D3、D5、D7点的位置用激光打断，再将公共电极在图中D2、 D4、D6点用激光打断；紧接着，使用高能量激光在Cl、C2、C3、C4四点将属于第一层金属的栅极线、公共电极以及属于第二层金属的数据线(两层金属间隔一绝缘层)熔接并导通。完成上述操作后，信号流如图1所示中的箭头方向进行传递栅极线》》，经由Cl点到数据线一经由C2点到公共电极一经由C3点到数据线一经由C4点到栅极线，通过上述实施方式实现对栅极线X处断线的修复。上述修复方法存在以下缺点1、修复程序繁琐，通常修复一处断路需进行4-10次激光照射，修复效率低；2、公共电极的双线结构设计对开口率影响较大，能耗增加；3、由于要形成旁路才能达到修复之目的，无形中增加了走线长度，走线上压降增大。
技术实现思路
为解决现有技术中基板上断线导致修复复杂且修复成本偏高的问题，有必要提供一种TFT-IXD阵列基板，该TFT-IXD阵列基板包括栅极线金属层、与该栅极线金属层交叠设置的数据线金属层以及包覆设置在该栅极线金属层和该数据线金属层周围的多个层体，该栅极线金属层上设有并行且交替排列的第一栅极线和第二栅极线，该数据线金属层上设有并行且交替排列的第一数据线和第二数据线；该第一栅极线和该第二栅极线电连接；该第一数据线和该第二数据线电连接。进一步地，该多个层体包括栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、钝化层以及透明导电层组成，该阵列基板依次包括栅极线金属层、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、数据线金属层、钝化层以及透明导电层；进一步地，该第一栅极线和该第二栅极线通过导线连通，该第一数据线和该第二数据线通过导线连通。进一步地，该栅极线金属层包括多条第一栅极线和多条第二栅极线，该数据线金属层包括多条第一数据线和多条第二数据线，由该多条第一栅极线和该多条第二栅极线与该多条第一数据线和该多条第二数据线相互交叠定义多个像素电极区域，进一步地，该像素电极区域内设置有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极与第一栅极线或第二栅极线连接，该薄膜晶体管的源极与该第一数据线或第二数据线连接，该薄膜晶体管的漏极与该像素电极连接。进一步地，该透明导电层与该栅极线金属层的该第一栅极线和/或该第二栅极线部分交叠形成存储电容。进一步地，连接该第一栅极线与该第二栅极线的导线有多条，且相互平行设置；连接该第一数据线与该第二数据线的导线有多条，且相互平行设置。进一步地，该栅极线金属层的该第一栅极线和该第二栅极线和该数据线金属层的该第一数据线和该第二数据线相交叠的区域形成多组寄生电容。实施本技术实施例的TFT-LCD阵列基板，由于栅极线金属层上具有两根并行排列的第一栅极线和第二栅极线，数据线金属层上具有两根并行排列的第一数据线和第二数据线，第一栅极线和第二栅极线电连接，第一数据线和第二数据线电连接，实现了栅极线金属层的栅极线和数据线金属层的双导通结构，当栅极线或信号线发生断线时，信号可以由相邻走线组成的旁路向下传递，达到导通的目的。附图说明图1是现有技术TFT-LCD阵列基板中对栅极线与数据线进行断线修复的结构示意图；图2是本技术TFT-LCD阵列基板的较佳实施例的结构示意图；图3是本技术图2所示的TFT-IXD阵列基板沿III-III线的局部剖视图；图4是图3所示的寄生电容的电路结构示意图；图5是本技术TFT-LCD阵列基板在栅极线与数据线断线后信号传输的平面示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参见图2，图2是本技术TFT-LCD阵列基板的较佳实施例的结构示意图。 TFT-LCD阵列基板包括栅极线金属层1、数据线金属层2以及包覆设置在栅极线金属层1和数据线金属层2周围的多个层体。该多个层体主要是指与包覆在栅极线金属层1和数据线金属层2周围的栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、钝化层以及透明导电层。阵列基板依次包括栅极线金属层1、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、数据线金属层2、钝化层以及透明导电层。栅极线金属层1上具有并行且交替排列的第一栅极线11和第二栅极线12，第一栅极线11和第二栅极线12电连接。数据线金属层2上具有并行且交替排列的第一数据线21和第二数据线22，第一数据线21和第二数据线22电连接。其中，在如图2所示的栅极线金属层1上具有两根并行排列的第一栅极线11和第二栅极线12中，第一栅极线11和第二栅极线12由导线41电连接，在数据线金属层2上具有两根并行排列的第一数据线21和第二数据线22中，第一数据线21和第二数据线22通过导线42电连接。当然，第一栅极线11和第二栅极线12以及第一数据线21和第二数据线22设置导线41、42相连通的位置可以根据相对应的栅极线金属层1和数据线金属层2相交叠围挡形成像素电极区域3的位置区域的大小进行调整，具体地像素电极区域3在平面上呈一矩形，定义像素电极区域3与第一栅极线11和第二栅极线12平行的边为宽边Ll，定义像素电极区域3与第一数据线21和第二数据线22平行的边为长边L2。连接第一栅极线11和第二栅极线12的导线41垂直像素电极区域3的宽边Li。连接第一数据线21和第二数据线22的导线42垂直像素电极区域3的长边L2。进一步地，导线41可设置在第一栅极线11和第二栅极线12之间的任意位置，其作用是实现栅极线金属层1的栅极线的双导通结构，使得栅极线金属层1可以通过第一栅极线11和/ 或第二栅极线12设置导通，当栅极线金属层1的第一栅极线11或第二栅极线12发生断线时，信号仍可以通过导线41进入相邻的栅极线并继续向下传递，达到导通的目的。同样地，导线42可设置在第一数据线21和第二数据线22之间的任意位置，作用是实现数据线金属层2的数据线的双导通结构，使得数据线金属层2可以通过第一数据线 21和/或第二数据线22设置导通，当数据线金属层2的第一数据线21或第二数据线22发生断线时，信号仍可以通过导线42进入相邻的数据线并继续向下传递，达到导通的目的。像素电极区域3内设置有薄膜晶体管30，薄膜晶体管30的栅极31与第一栅极线 11连接，薄膜晶体管30的源极32与第一数据线21连接，像素电极区域3内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TFT-IXD阵列基板，其特征在于，所述TFT-IXD阵列基板包括栅极线金属层、与所述栅极线金属层交叠设置的数据线金属层以及包覆设置在所述栅极线金属层和所述数据线金属层周围的多个层体，所述栅极线金属层上设有并行且交替排列的第一栅极线和第二栅极线，所述数据线金属层上设有并行且交替排列的第一数据线和第二数据线；所述第一栅极线和所述第二栅极线电连接；所述第一数据线和所述第二数据线电连接。2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述多个层体包括栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、钝化层以及透明导电层组成，该阵列基板依次包括栅极线金属层、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、数据线金属层、钝化层以及透明导电层；所述第一栅极线和所述第二栅极线通过导线连通，所述第一数据线和所述第二数据线通过导线连通。3.如权利要求1或2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，相邻的电连接的所述第一栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：马小龙，陈虹瑞，张骢泷，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：