一种CVD镀膜装置制造方法及图纸

一种CVD镀膜装置，其特征在于：镀膜腔室的至少一部分由有机薄膜构成，所述有机薄膜的厚度在100-200μm之间；在所述有机薄膜处设有X射线发射部件和X射线检测部件；能够通过检测X射线荧光，实时对气体的成分浓度做出分析，从而保证气体随时处于最佳的成分浓度，以保证镀膜的质量处于最佳。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种镀膜装置，尤其是一种CVD镀膜装置。
技术介绍
在气相化学沉积(CVD)镀膜的工艺当中，气体中反应气体的浓度以及杂质气体的浓度，对于被镀基板表面的电流分布、析出特性等都有重要影响，进而影响到镀膜与基板之间的结合强度、膜厚度的均一性、膜的导电、硬度等种种性能。总之，CVD成膜的质量在很大程度上取决于对气体的成分-也即反应气体的浓度以及杂质气体浓度的精确控制上。现行技术中往往根据经验定期更换镀膜处理腔室中的气体以避免反应气体浓度降低和杂质气体浓度升高导致的镀膜性质变差。然而一方面，这样往往难以及时反应镀膜过程中气体的实际情况，从而造成不能将气体保持在各成分的最适宜浓度，导致镀膜质量不佳，另一方面，根据经验定期更换气体还会造成不必要的浪费，例如反应气体原本处于尚佳的浓度状态，能够顺利实施镀膜，但由于到了更换时限又不了解气体情况还是会更换气体。因此，开发一种能够对气体中各成分实施实时检测的CVD镀膜装置，将不但能够显著提高镀膜的质量，还能大幅降低生产成本。
技术实现思路
本技术的目的即在于提供一种能够实时检测气体中各成分浓度的CVD镀膜直ο本技术所采用的技术方案如下一种CVD镀膜装置，其具有镀膜腔室，其特征在于所述镀膜腔室的至少一部分由有机薄膜构成，所述有机薄膜的厚度在100-200μπι之间；在所述有机薄膜处设有X射线发射部件和X射线检测部件，所述X射线发射部件相对于所述有机薄膜倾斜设置使得其射出的X射线与所述有机薄膜形成夹角α，且20° < α < 70°，所述X射线检测部件与所述有机薄膜平行设置。本技术镀膜腔室处有机薄膜的设置正是为了 X射线发射部件发射的X射线能够顺利通过，并激发气体产生X射线荧光，且X射线荧光也能够顺利通过被X射线检测部件接收检测到，从而对气体中各成分的浓度做出有效的分析；有机薄膜的厚度设置在 100-200 μ m之间最为合适，如果小于100 μ m,则有机薄膜的强度不够，容易造成气体的泄露，而200 μ m的厚度能很好满足X射线及X射线荧光的透过性的要求；X射线发射部件相对于所述有机薄膜倾斜设置是保证大部分X射线被有机薄膜附近的气体吸收以使得激发的X 射线荧光更易于反射出有机薄膜；X射线检测部件与所述有机薄膜平行设置是保证X射线检测部件与所述有机薄膜距离尽可能接近以更好接收检测X射线荧光。本技术的有益效果是，能够实时对气体的成分浓度做出检测，从而保证气体随时处于最佳的成分浓度，以保证镀膜的质量处于最佳。附图说明图1是本技术的CVD镀膜装置的结构示意图。具体实施方式以下结合附图1，详细描述本技术的CVD镀膜装置，其具有镀膜腔室1，其特征在于所述镀膜腔室1的至少一部分由有机薄膜2构成，所述有机薄膜2的厚度在 100-200 μ m之间；在所述有机薄膜处设有X射线发射部件3和X射线检测部件4，所述X射线发射部件3相对于所述有机薄膜2倾斜设置使得其射出的X射线5与所述有机薄膜2形成夹角α，且20° < α <70°，所述X射线检测部件4与所述有机薄膜2平行设置。本技术能够通过检测X射线荧光6实时对镀膜气体7的成分浓度做出分析， 从而保证镀膜气体7随时处于最佳的成分浓度，以保证被镀基板8的表面镀膜9的质量处于最佳。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种CVD镀膜装置，其具有镀膜腔室，其特征在于所述镀膜腔室的至少一部分由有机薄膜构成，所述有机薄膜的厚度在100-200 μ m之间；在所述有机薄膜处设有X射线发射部件和X射线...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆剑飞，
申请(专利权)人：宁波高新区智胜技术服务有限公司，
类型：实用新型
国别省市：