【技术实现步骤摘要】
去磷硅玻璃控制扩散方块电阻
本技术涉及硅晶太阳能电池片领域,具体来说涉及去磷硅玻璃控制扩散方块电阻。
技术介绍
“PSG” (磷硅玻璃)的形成是在扩散过程中发生如下反应后得到的P0C13 (三氯氧磷)分解产生的P205淀积在硅片表面,P205与Si反应成Si02和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的Si02,称之为磷硅玻璃。去除PSG的目的1、磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中容易受潮,导致电流的降低和功率的衰减。2、死层的存在大大增加了发射区电子的复合会导致少子寿命的降低,进而降低了 VOC 禾口 ISC3、磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。去PSG是利用氢氟酸能够溶解二氧化硅与硅和硅化合物的特性去除的,氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。反应方程式为Si02+4HFSiF4丨+2H20若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。总反应式为Si&+6HF— H2+2H20参见图1,“方块电阻”是指N型硅区域100中单位面积上的阻值。N型硅区域100 与P型硅区域200所连接的点称为PN结300。在N型硅区域100的外表面设置有磷硅玻璃层400。PN结越深方块电阻越低,反之则越高。现有的方块电阻比较低,方块电阻低于正常值的7 8个欧姆(去磷硅玻璃前),低于工艺所要求的范围之外,在去磷硅玻璃时,返工比例较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种去磷硅玻璃控制扩散方块电阻,以降低返工比例。为了实现上述目的,本技术的技术方案如下去磷硅玻璃控制扩散方块电阻,包括设置在 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄兴,
申请(专利权)人:上海索日新能源科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市: