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本实用新型公开了一种去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域和磷硅玻璃层之间的N型硅区域，所述N型硅区域的厚度≤1μm；与现有技术相比，本实用新型的方块电阻值提高，有利于解决由于返工片引起的效率偏低的问题。降低生产成本，更加高效利用...
该专利属于上海索日新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海索日新能源科技有限公司授权不得商用。

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