晶体硅太阳能电池正面电极布局结构制造技术

技术编号:7672014 阅读:228 留言:0更新日期:2012-08-11 09:51
本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池正面电极布局结构,包括主栅和副栅,所述主栅上沿长度方向间隔设置有若干个镂空空间,所述若干个镂空空间将主栅分隔开来。本实用新型专利技术通过在主栅上设置有镂空空间,可明显降低主栅银浆使用量,虽然同时会增加接触电阻,但是可以通过实心区域和焊带弥补。本实用新型专利技术在保证转化率同时,减少银浆的单耗。?(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种关于丝网印刷晶体硅太阳能电池的正面电极布局结构。技术背景 要收集太阳能电池产生的电流,金属正电极是必须的。主栅线和外部导线直接相连,而副栅线是更细小的金属化区域,用来收集电流传输给主栅线。晶体硅太阳能电池的正面电极布局结构的设计理念提高电流的收集效率、低金属栅线电阻、低接触电阻、低遮光面积。正面电极工艺要求尽可能大的高宽比,目的是减小遮光面积,增大栅线横截面,这样可以减少栅线遮光造成的电池功率损失,同时较大栅线横截面可以降低栅线的体电阻从而降低栅线电阻引起的功率损失。目前,市场上主要有125S-165和156S-200两种单晶电池片,分别采用2主栅(尖栅)_54副栅和3主栅(尖栅)_77副栅两种设计,此种应用获得了行业内领先的转化率。同时我们注意到,在欧洲各国相继降低光伏补贴的大背景下,最大限度的降低成本成为企业提高竞争力的重要举措。因此在正面电极的设计上,在保证转化率同时,应尽量减少银浆的单耗,目前125S和156S的单耗分别在O. llg、0. 19g,还有降低的空间。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池正面电极布局结构,以减少银浆的单耗。为了实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:贾平
申请(专利权)人:上海索日新能源科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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