本实用新型专利技术涉及一种集成电路行业用覆铜板，其包括由一片以上玻璃纤维布叠置而成的板材，所述板材两面分别覆设有铜箔。本实用新型专利技术的覆铜板介电常数低、强度高、平整性好、热膨胀系数小、性能稳定，性价比高，代替传统的覆铜板，热性能稳定、机械强度高的同时降低了成本，简化了工艺。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
一种高频用覆铜板
本技术涉及一种集成电路行业用覆铜板。技术背景半导体集成电路技术的飞速发展推动了新材料、新技术的不断进步，也使得半导体工业成长为工业界不可忽视的力量。随着线宽的不断减小、晶体管密度的不断提升， 越来越多的人把目光投向了常数材料在超大规模集成电路中的应用。当^1切1，IBM, AMD, Motorola, Infineon, TSMC以及UMC等公司相继宣布将在0. 13mm及其以下的技术中使用常数材料时，对常数材料及其工艺集成的研究，就逐渐成为半导体集成电路工艺的又一重要分支。在集成电路工艺中，有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互联线路间使用的主要绝缘材料。而金属铝则是芯片中电路互联导线的主要材料。然而，随着集成电路技术的进步，具有高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片越来越成为超大规模集成电路制造的主要产品。此时，芯片中的导线密度不断增加，导线宽度和间距不断减小， 互联中的电阻和电容所产生的寄生效应越来越明显。当器件尺寸小于0.25mm后，克服阻容迟滞(RC Delay)引起的信号传播延迟、线间干扰以及功率耗散等，就成为集成电路工艺技术发展不可回避的课题。金属铜的电阻率广1. 7mff · cm)比金属铝的电阻率( 2. 7mff · cm)低约40%。因而用铜线替代传统的铝线就成为集成电路工艺发展的必然方向。如今，铜线工艺已经发展成为集成电路工艺的重要领域。与此同时，低介电常数材料替代传统绝缘材料二氧化硅也就成为集成电路工艺发展的又一必然选择。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种成本低，性能稳定优良的覆铜板。本技术的上述目的是通过如下技术方案予以实现的—种高频用覆铜板，其包括由一片以上玻璃纤维布叠置而成的板材，所述板材两面分别覆设有铜箔。优选地，所述的板材由八片玻璃纤维布叠置而成。优选地，所述的板材由六片玻璃纤维布叠置而成。优选地，所述的板材由四片玻璃纤维布叠置而成。所述的高频用覆铜板可由下述方法制备而得1)将空心玻璃微球、溶剂、偶联剂、表面活性剂、环氧树脂、固化剂、促进剂按重量比 5 30 35 60 0. 5 3. 0 :0. 05 0. 1 :125 :2. 5 35. 0 :0. 05 0. 50 高速搅拌混合而得混合液；2)将电子级玻璃纤维布置于混合液中浸渍，然后在150°C 230°C温度下进行烘烤，再经冷却获得半固化片；3)将一片以上半固化片进行叠置，并在叠置后的半固化片两面各覆上一层铜箔， 而得板材；4)将叠置好的板材两面分别叠合上不锈钢板，然后送进叠合式压机，在 IOO0C _220°C之间进行压制，压制单位面积压力为lMpa-4Mpa ；压制后在180°C _220°C进行保温，保温时间在40min-90min，保温阶段单位面积压力为2Mpa-4Mpa ；5)将压制好的板材与不锈钢板拆解开；6)将与钢板分离的板材裁边而得覆铜板。本技术的高频用覆铜板介电常数低、强度高、平整性好、热膨胀系数小、性能稳定，性价比高，代替传统的覆铜板，热性能稳定、机械强度高的同时降低了成本，简化了工艺。附图说明图1为实施例1所述覆铜板的结构示意图。图2为实施例2所述覆铜板的结构示意图。图3为实施例3所述覆铜板的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术作进一步详细的说明，但并不是对本技术保护范围的限制。实施例1参照图1，一种高频用覆铜板，其包括由六片玻璃纤维布1叠置而成的板材2，所述板材2两面分别覆设有铜箔3。实施例2参照图2，一种高频用覆铜板，其包括由八片玻璃纤维布1叠置而成的板材2，所述板材2两面分别覆设有铜箔3。实施例3参照图3，一种高频用覆铜板，其包括由四片玻璃纤维布1叠置而成的板材2，所述板材2两面分别覆设有铜箔3。权利要求1.一种高频用覆铜板，其特征在于其包括由一片以上玻璃纤维布叠置而成的板材， 所述板材两面分别覆设有铜箔。2.根据权利要求1所述的高频用覆铜板，其特征在于所述的板材由八片玻璃纤维布叠置而成。3.根据权利要求1所述的高频用覆铜板，其特征在于所述的板材由六片玻璃纤维布叠置而成。4.根据权利要求1所述的高频用覆铜板，其特征在于所述的板材由四片玻璃纤维布叠置而成。专利摘要本技术涉及一种集成电路行业用覆铜板，其包括由一片以上玻璃纤维布叠置而成的板材，所述板材两面分别覆设有铜箔。本技术的覆铜板介电常数低、强度高、平整性好、热膨胀系数小、性能稳定，性价比高，代替传统的覆铜板，热性能稳定、机械强度高的同时降低了成本，简化了工艺。文档编号H01L23/498GK202282347SQ201120297290公开日2012年6月20日 申请日期2011年8月16日 优先权日2011年8月16日专利技术者沈宗华, 董辉, 陈华刚 申请人:浙江华正新材料股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董辉，沈宗华，陈华刚，
申请(专利权)人：浙江华正新材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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