一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法技术

技术编号：7432405 阅读：209 留言：0更新日期：2012-06-15 00:53

本发明专利技术提供一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法，包括：提供单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层及第二二氧化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除所述有源区的第二二氧化硅层、氮化硅层及第一二氧化硅层，暴露出有源区的单晶硅衬底；横向刻蚀去除部分氮化硅层，形成沟槽；在暴露出的单晶硅衬底上外延生长硅层，所述硅层充满所述沟槽；利用第二掩模板光刻定义硅纳米线支撑区域，刻蚀所述硅层，在所述沟槽内形成硅纳米线；依次刻蚀去除有源区以外的第二二氧化硅层、氮化硅层及第一二氧化硅层，使得所述硅纳米线悬空。该工艺制备方法简单、可控，生产成本低廉。