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本发明提供一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法，包括：提供单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层及第二二氧化硅层；利用第一掩模板光刻定义有源区，刻蚀去除所述有源区的第二二氧化硅层、氮化硅层及第一二氧化硅层，暴露出有源区...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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