钎焊金属基复合封装材料的中温钎料薄带及其制备、钎焊制造技术

本发明专利技术公开了一种用于金属基复合封装材料钎焊的中温钎料薄带及制备和钎焊方法。本发明专利技术采用Au、Ag、Ge和Cu四种合金原料按一定的质量百分比在中频感应真空炉中熔炼后，再在紫铜模中浇铸成母合金锭；再将制得的母合金锭在单辊甩带装置上制取钎料薄带；采用钯盐活化法在W-Cu、SiCp/Al复合材料表面进行化学镀Ni，镀层厚度为3~10μm；采用Au-Ag-Ge-Cu中温钎料薄带对化学镀Ni后的W-Cu、SiCp/Al复合材料和基座进行钎焊，钎焊温度范围为470~550℃，保护气氛为高纯氩气或流动氢气，钎焊时间2~10min。本发明专利技术的钎料薄带钎焊后，钎料与镀Ni层浸润性佳，铺展后表面质量良好，无明显残留物；钎焊接头组织均匀无明显缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子封装和金属基复合材料钎焊领域，具体涉及一种用于金属基复合封装材料钎焊的中温钎料薄带及制备和钎焊方法。
技术介绍
随着集成电路封装密度的不断提高以及大功率化，对电子封装材料的要求也越来越苛刻。传统的电子封装材料如InVar、K0Var、W、M0等由于其单一的性能已经不能满足封装行业日益发展的需要，这就使得低膨胀、低密度、高导热、合适强度和生产成本的新型电子封装材料的研制变得十分迫切，一般来说，单一材料难以满足上述性能的苛刻要求，而复合材料由于其性能的可调性，能够充分利用各种单一材料的优点，制备出综合性能优异的材料，从而满足微电子工业发展的需要。传统的电子封装材料如Irwar和Kovar，虽然其热膨胀系数(CTE)比较低，与芯片的膨胀系数相匹配，但是导热性能太差，不能够满足高密度封装技术对封装材料的要求。而高热导率的材料如Al和Cu，其热膨胀系数又太大，与Si和GaAs为基的芯片结合时会产生严重的热应力，导致芯片失效。电子封装复合材料的性能优于传统的电子封装材料。电子封装复合材料如SiC/Al、W-Cu、CF/C等既有低的热膨胀系数，又有高的热导率，并且更重要的是，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔大田，王志法，胡忠举，刘文辉，刘龙飞，颜建辉，
申请(专利权)人：湖南科技大学，
类型：发明
国别省市：