【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及湿式化学蚀刻的方法。更具体来说，本专利技术涉及用于半导体处理中的铜移除及平坦化的湿式蚀刻剂的再生及再利用的方法及设备。
技术介绍
各向同性蚀刻为经由使用蚀刻剂的化学工艺从衬底非定向移除材料。蚀刻剂可包括液体及等离子。液体化学蚀刻剂通常为含酸或碱及其它试剂的腐蚀剂，以增强蚀刻剂从工件移除材料的能力。这些蚀刻剂用于例如有效地从工件移除非所要的材料。各向同性蚀刻尤其有利于从半导体晶片移除非所要的金属(例如，铜)。从工件各向同性蚀刻金属通常因通过单一蚀刻设备来处理半导体晶片而产生例如约每小时数十公升的大量废料。尽管此废料为稀释的，但废料可含有包含例如铜的金属离子的许多污染环境的有毒物质。此外，制作所述液体蚀刻剂的原料相当昂贵。例如，在每日处理大量工件的半导体处理中，处理大量腐蚀性及有毒废料为主要挑战。
技术实现思路
本文描述从工件各向同性蚀刻金属，同时回收且重新构成化学蚀刻剂的方法及设备。各种实施例包含用于蚀刻的设备及方法，其中以连续回路再循环方案再利用经回收且重新构成的蚀刻剂。可实现稳定状态条件，其中这些工艺反复重复，且偶尔排出及进料，以补充试剂及/或调整参...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·T·迈尔，戴维·波特，
申请(专利权)人：诺发系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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