【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电极的制作方法，尤其涉及一种。
技术介绍
为达到改善电流传输的目的，需要在LED电极下方制作电流扩展层，目的是使电流分散到电极之外。通常用透明导电的氧化铟锡薄膜做电流扩展层，用电子束蒸镀的方法做在芯片上表面。同时，为了保护LED芯片，通常在LED芯片表面沉积Si02薄膜。在LED外延生长的过程中，由于GaN材料和衬底蓝宝石有较大的晶格适配率和较大的热膨胀系数差异，在外延片生长完成后，在LED外延片内部有较大的残余应力。由于 LED外延片内部有较大的残余应力的存在，导致制程后续沉积的薄膜材料比如透明电极层 ITO和LED保护层Si02等容易脱落，影响LED芯片的电学性能，光学性能，以及可靠性等。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种
本专利技术的目的通过以下技术方案来实现，其特征在于包括以下步骤步骤①，在LED外延生长的过程中，对GaN材料进行沉积。步骤②，在LED外延生长完成后，进行透明电极层的沉积。步骤 ③，将沉积透明电极层制作成网格状层，所述的网格状层构成电流扩展层和应力缓冲层。上述的，其中所述的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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