用于完全非晶相变存储器孔隙单元的化学机械抛光停止层制造技术

一种用于制造相变存储器孔隙单元的方法，其包括形成底部电极；在底部电极上形成第一介电层；在第一介电层上形成牺牲层；在牺牲层上形成隔离层；以及在隔离层上形成第二介电层。该方法还包括形成位于底部电极上方的过孔，该过孔延伸至牺牲层；蚀刻穿过牺牲层至第一介电层以形成限定为延伸通过牺牲层与第一介电层的孔隙；在牺牲层上和在孔隙内沉积相变材料，并且移除形成于孔隙外部的相变材料；移除牺牲层以暴露出孔隙，该孔隙垂直对准；以及在孔隙上方形成顶部电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种相变存储器单元，并且更具体而言，涉及一种用于完全非晶相变存储器孔隙单元的化学机械抛光(CMP)停止层。完全非晶相变存储器孔隙单元意指位于孔隙内的相变材料在重置操作(该重置操作是将存储器单元的状态转化为高阻态的操作)期间完全转化为非晶相，而不会在孔隙空间内遗留部分的结晶相变材料。
技术介绍
高温数据保存是相变存储器的一种理想特性。保存受限于非晶化相变材料的不期望的再结晶。结晶可以发生在非晶-结晶边界处。相变材料内缺乏非晶-结晶边界消除了导致数据丢失的原因。因此，在重置操作期间将所有的相变材料转化为非晶态的相变存储器单元将拥有较好的数据保存特性。在相变存储器中，通过使用电流使相变材料在非晶态与结晶态之间转换来保存数据。电流加热材料，从而使得其在两个状态之间转换。与从结晶态向非晶态的转变相比，从非晶态向结晶态的转变是一种低电流操作(称为重置电流)。 期望能够使重置电流最小化。图IA至图II示出了一种用于制造常规相变存储器孔隙单元1的方法。具体而言， 图IA至图II示出了典型的锁孔转移方法(keyhole transfer method)。在图IA中，提供了底部电极层10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·布赖特维希，C·H·拉姆，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：