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一种用于制造相变存储器孔隙单元的方法，其包括形成底部电极；在底部电极上形成第一介电层；在第一介电层上形成牺牲层；在牺牲层上形成隔离层；以及在隔离层上形成第二介电层。该方法还包括形成位于底部电极上方的过孔，该过孔延伸至牺牲层；蚀刻穿过牺牲层至...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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