具有金属栅极的半导体元件及其制作方法技术

本申请公开了一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该金属栅极的半导体元件包含提供基底，该基底上形成有至少一半导体元件与覆盖该半导体元件的接触洞蚀刻停止层与介电层，且该半导体元件至少包含一虚置栅极。进行虚置栅极移除步骤，以于该半导体元件内形成至少一开口，该虚置栅极移除步骤同时移除部分该接触洞蚀刻停止层，使该接触洞蚀刻停止层的顶部低于该半导体元件与该介电层而形成多个凹槽。之后进行凹槽移除步骤，以于该基底上形成约略平坦的介电层表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有金属栅极(metal gate)的半导体元件及其制作方法，尤指一种实施后栅极(gate last)工艺的。
技术介绍
随着CMOS元件尺寸持续微缩，传统方法中利用降低栅极介电层的厚度，例如降低二氧化硅层的厚度，以达到最佳化目的的方法，面临到因电子的穿遂效应(tunneling effect)而导致漏电流过大的物理限制。为了有效延展逻辑元件的世代演进，高介电常数 (high-K)材料因具有可有效降低物理极限厚度，并且在相同的等效氧化厚度(equivalent oxide thickness,以下简称为EOT)下，有效降低漏电流并实现等效电容以控制沟道开关等优点，而被用以取代传统二氧化硅层或氮氧化硅层作为栅极介电层。而传统的多晶硅栅极则因硼穿透(boron penetration)效应，导致元件效能降低等问题；且多晶硅栅极也遭遇难以避免的耗层效应(cbpletion effect)，使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降，进而导致元件驱动能力的衰退等困境。故目前便有新的栅极材料被研制生产，其利用双功能函数(double work function)金属来取代本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢雅雪，蔡腾群，陈佳禧，张振辉，黄柏诚，许信国，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：