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本申请公开了一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该金属栅极的半导体元件包含提供基底，该基底上形成有至少一半导体元件与覆盖该半导体元件的接触洞蚀刻停止层与介电层，且该半导体元件至少包含一虚置栅极。进行虚置栅极移除步骤，以于该半导体元件内...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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