微波加热装置以及微波加热控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供在加热室内设置多个供电部、并根据来自各个供电部的反射功率信息将被加热物均匀加热至期望状态的微波加热装置以及微波加热控制方法，为了实现该目的，控制部(21)进行如下控制：使微波产生部(10)以对被加热物进行加热的加热频率进行工作而将微波功率从多个供电部(20a、20b、20c、20d)供给到加热室(10)，根据功率检测部(18a、18b、18c、18d)检测到的检测信号的检测电平的每单位时间的增减变化状态来估计被加热物的加热状态，控制从供电部供给到加热室的微波功率和加热频率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用具有频率可变功能的微波产生单元对被加热物进行加热处理的。
技术介绍
以往的微波加热装置以微波炉为代表，一般使用被称为磁控管(magnetron)的真空管作为微波产生单元。微波炉中使用的磁控管为如下构造根据自身构造决定振荡频率，不能有意地对所决定的频率进行可变调整。虽然存在使磁控管附带频率可变功能的技术，但是附带了这种技术的磁控管比较昂贵，难以搭载在面向一般大众的产品上。随着近年来半导体技术的进步，使用半导体元件作为与磁控管的性能相匹敌、或者超过磁控管的性能的微波产生单元的技术已得到实际应用。使用了半导体元件的微波产生单元具有如下功能能够与大频带的频率相对应而容易地改变微波的频率。在被收纳于微波加热装置的加热室内进行微波加热处理的被加热物中，其状态随着该加热处理而发生变化。因此，在供给到收纳被加热物的加热室的微波中，被加热物中的吸收程度会发生变化，呈现出从加热室返回到微波产生单元侧的微波的反射现象。该反射现象引起反射功率的产生，这将导致该反射功率在半导体元件中发生热耗、从而引起半导体元件的热损坏。因此，对于使用了半导体元件的微波产生单元而言，从防止反射功率造成半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：信江等隆，大森义治，安井健治，三原诚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：