发光二极管及制造方法技术

技术编号:7350101 阅读:123 留言:0更新日期:2012-05-18 17:33
本发明专利技术提供一种发光二极管,其包括基板、设置在该基板上的发光二极管芯片及设置在该基板上并围绕该发光二极管芯片的反射杯。所述发光二极管芯片通过设于基板上的电极与外部电连接。所述反射杯内填充有封装层,该封装层于远离发光二极管芯片的一端通过加热沉淀形成有层状的荧光区域,该荧光区域用于将发光二极管芯片所发出的光线转换为特定的波长而向外辐射。本发明专利技术还提供一种制造该发光二极管的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管及制造方法
技术介绍
一般的发光二极管是通过荧光层将发光二极管芯片所发出的光线转换成具有特定波长的出射光线。然而,一般发光二极管中的荧光层是设置在反射杯内并覆盖发光二极管芯片的,此种结构中的发光二极管芯片与荧光层中的荧光材料距离不一,容易造成混光不均匀而影响出光效果。
技术实现思路
鉴于此,有必要提供一种可避免混光不均匀的发光二极管及制造方法。一种发光二极管,其包括基板、设置在该基板上的发光二极管芯片及设置在该基板上并围绕该发光二极管芯片的反射杯。所述发光二极管芯片通过设于基板上的电极与外部电连接。所述反射杯内填充有封装层,该封装层于远离发光二极管芯片的一端通过加热沉淀形成有层状的荧光区域,该荧光区域将发光二极管芯片所发出的光线转换为特定的波长而向外辐射。一种发光二极管制造方法,该制造方法包括如下步骤:提供基板及反射杯,该基板相对的两端分别设置有第一电极及第二电极,该反射杯沿基板的周缘环绕设置以形成一容置空间;将发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其包括基板、设置在该基板上的发光二极管芯片
及设置在该基板上并围绕该发光二极管芯片的反射杯,所述发光二极管芯片
通过设于基板上的电极与外部电连接,其特征在于:所述反射杯内填充有封
装层,该封装层于远离发光二极管芯片的一端通过加热沉淀形成有层状的荧
光区域,该荧光区域用于将发光二极管芯片所发出的光线转换为特定的波长
而向外辐射。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述基板包括平行相
对的上表面与下表面以及分别与该上、下表面垂直相连的侧表面。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:所述发光二极管包括
第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极分别由基板上表面的相对两端
延伸至对应的侧表面及下表面上,所述发光二极管芯片设置在第一电极上,
并通过导线分别与第一电极和第二电极相连接。
4.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:所述荧光区域与封装
层之间的分隔界面与所述基板的上表面平行。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述荧光区域内设置
有荧光微粒,该荧光微粒的化学成分为Ca2Al12O9:Mn、(Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu、
Y3Al5O12:Ce3+(YAG)、Tb3Al5O12:Ce3+(TAG)、BaMgAl10O17:Eu2+(Mn2+)、
Ca2Si5N8:Eu2+、(Ca,Sr,Ba)S:Eu2+、(Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu2+、
(Mg,Ca,Sr,Ba)3Si2O7...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭德文简克伟
申请(专利权)人:展晶科技深圳有限公司荣创能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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