【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种提高单晶硅晶棒中氧含量的装置。
技术介绍
硅单晶晶棒的质量是否合格的一个重要衡量指标是晶棒中的氧含量及氧浓度分布。现有技术中，单晶硅晶棒的拉制过程中，为控制单晶头尾电阻率，提高单晶良率，掺杂具有挥发性的As、Sb掺质长晶热场将往封闭式热场方向发展。而封闭式的热场设计，使得晶棒中的氧含量降低。氧含量降低的一个原因是，在长晶的过程中，晶棒中的绝大部分氧是通过石英坩埚的分解所提供，熔融的硅与石英坩埚接触而使石英坩埚受热产生部分分解。随着晶棒的不断长长，石英坩埚中的硅熔汤逐步减少。硅熔汤减少后，与石英坩埚的接触面积减小，石英坩埚分解的越来越少，因此造成晶棒尾部氧含量偏低。严重时，尾部氧含量甚至无法满足使用要求。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种提高单晶硅晶棒中氧含量的装置。为实现上述目的，本技术通过以下技术方案实现提高单晶硅晶棒中氧含量的装置，其特征在于，包括石英坩埚和石英环，所述石英环设置于石英坩埚内。优选地是，所述的石英环设置于石英坩埚底部。本技术中的装置尤其适合用于重掺As、Sb单晶硅晶棒的拉制。本技术中，通过在石英坩埚中放置石英环，增大了硅熔汤与石英的接触面积， 可确保有足够的石英分解为晶棒提供氧。即使硅熔汤减少，仍能确保晶棒尾部有足够的氧供应，提高了单晶硅晶棒的良率。使用本技术中的装置，既可以提高晶棒中氧含量的平均值，也可以提高晶棒尾部的氧含量。而且本技术中采用石英环，可避免石英环与硅熔汤接触面积过大而漂浮于表面，确保生产的顺利进行。附图说明图1为本技术中的提高单晶硅晶棒中氧含量的装置结构示意图。具体实施方式以下结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩建超，尚海波，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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